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フレキシブル基板上への高性能不揮発メモリの実証

柔性基板上高性能非易失性存储器的演示

基本信息

批准号：
16J04410
负责人：
東英実
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-22 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16J04410/
关键词：
フレキシブルゲルマニウム薄膜トランジスタフレキシブルTFT

项目摘要

採択者は，より高性能なフレキシブル・システムインディスプレイを実現するために，本年度はTFT性能の低下を引き起こす原因の解明に着手した．ホール移動度およびキャリア密度の温度特性を詳細に評価した結果，キャリアの発生には触媒として用いているAuによる深いドナー準位の形成が関係しており，ホール移動度の低下を引き起こす主な要因となっていることが判明した．今後は，Auの総量を減らした新たな試料構造を検討することで，TFT性能の向上が期待される．Ge薄膜の移動度向上に関して，Sn添加による結晶欠陥の低減が有効であるという報告があるため，[Au/Sn]多層構造を用いた新しい層交換成長法からフレキシブル基板上に同様の擬似単結晶Ge薄膜を検討した結果，室温のホール移動度が~300 cm2/Vsへと向上した．今後，これらの薄膜を用いた高性能TFTの実証に向けた要素技術開発が重要となることを提案した．最後に，次世代のスピントロニクス技術との融合を視野に，フレキシブル基板上の擬似単結晶Geが(111)配向していることを利用した強磁性ホイスラー合金の作製も検討した．強磁性ホイスラー合金/擬似単結晶Ge界面状態などの課題を抽出し，高品質な強磁性ホイスラー合金のエピタキシャル成長実現の可能性を提示した．今後は，本研究室で開発したエピタキシャル成長界面のFe原子終端による，Ge原子の拡散抑制法が有効であると考えられる．以上の成果の一部は，米国応用物理学雑誌「Journal of Applied Physics」に筆頭著者で論文が掲載されており，国内会議において2件，国際会議1件において報告している．以上のように，研究代表者は低消費電力フレキシブル・システムインディスプレイを実現するための基礎技術を確立し，実現に向けた課題と指針を見出した．

The acquisition of high-performance TFT products has been carried out in order to understand the causes of low TFT performance this year. The temperature characteristics of the mobility and density were evaluated in detail, and the main causes of the low mobility were identified. In the future, the amount of Au is reduced, and new sample structures are discussed. The upward expectation of TFT performance is related to the upward mobility of Ge thin films. Sn addition is related to the decrease of crystalline defects.[Au/Sn] multilayer structures are used for new layer exchange growth methods. Room temperature mobility is ~300 cm2/Vs upward. In the future, it will be important to develop new technologies for thin film applications with high performance TFTs. Finally, the next generation of silicon technology and fusion field of vision, silicon substrate on the quasi-single crystal Ge (111) alignment, the use of ferromagnetic silicon alloy manufacturing research. The problem of interface state of ferromagnetic alloy/pseudo-crystalline Ge was investigated, and the possibility of growth of high-quality ferromagnetic alloy was suggested. In the future, our laboratory will develop a new method for the suppression of Ge atom dispersion at Fe atom terminal of growth interface. One of the above achievements was published in the Journal of Applied Physics of the United States, 2 in domestic conferences and 1 in international conferences. The above research representatives have established the basic technology for low power consumption.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

結晶性Geを用いたフレキシブル薄膜トランジスタの実証

使用晶体Ge的柔性薄膜晶体管的演示

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Fujita;M. Yamada;S. Yamada;T. Kanashima;K. Sawano;and K. Hamaya;東英実，中野茉莉央，工藤康平，藤田裕一，山田晋也，金島岳，角田功，中島寛，浜屋宏平
通讯作者：
東英実，中野茉莉央，工藤康平，藤田裕一，山田晋也，金島岳，角田功，中島寛，浜屋宏平

Effect of post annealing on hole mobility of pseudo-single-crystalline germanium thin-film-transistors on glass substrate

后退火对玻璃衬底赝单晶锗薄膜晶体管空穴迁移率的影响