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世界最強の耐放射線デバイスの実現

实现世界最强抗辐射装置

基本信息

批准号：
16J12063
负责人：
藤森卓巳
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-22 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

今年度は、光再構成型ゲートアレイVLSIへのアルファ線照射試験によるソフトエラー耐性の評価を行い、光再構成型ゲートアレイの高いソフトエラー耐性を実証した。加えて、昨年度から引き続きガンマ線照射試験によるトータルドーズ耐性の評価試験を実施した。アルファ線照射試験においては、500 nsでスクラビング処理が可能な光再構成型ゲートアレイシステムを構築し、アメリシウム241線源を用いて試験を実施した。その結果、光再構成型ゲートアレイのスクラビング処理はFPGAのスクラビング処理と比較して181倍のソフトエラー耐性を持つことを実証した。さらに，低速なスクラビング処理では回路構成直後のソフトエラーが問題となるが、本試験において光再構成型ゲートアレイの回路構成直後のソフトエラーは0.00028％にまで抑えられ、並列構成方式による高速スクラビング処理がソフトエラーの緩和に有効であることを実証した。光再構成型ゲートアレイのトータルドーズ耐性に関しては、ホログラムメモリは604 Mrad、レーザは400 Mradのトータルドーズ耐性を持つことを実証した。さらに、光再構成型ゲートアレイVLSIでは累積吸収線量が1027 Mradに達しても論理ブロックとスイッチングマトリクスに恒久的な故障は発生せず、すべてのプログラムポイントは正常にプログラム可能であることを確認した。ただ、二つのI/Oでは出力がHighに固定される故障が確認されたが、1027 Mradの放射線を吸収したとしてもほとんどの回路リソースは継続して使用可能であることを実証した。もちろん、ゲートアレイには放射線による劣化が生じているが、劣化を許容できれば1027 Mradの放射線を吸収したとしても継続して光再構成型ゲートアレイVLSIを使用できることを確認した。

This year, the light reconstruction type of VLSI and the light irradiation test, the evaluation of the high temperature resistance, the light reconstruction type of VLSI and the high temperature resistance test. Add to this list the following information: 500 ns for light irradiation test and 241 ns for light reconstruction test. As a result, the optical reconstruction type of software processing is compared with the FPGA's software processing, which is 181 times the software processing tolerance. In addition, the low-speed structure of the circuit is processed by the optical reconstruction type, and the circuit is processed by the optical reconstruction type. The circuit is processed by the optical reconstruction type, and the circuit is processed by the optical reconstruction type. The light recombination type has been proved to be 604 Mrad and 400 Mrad resistant. In addition, the cumulative line absorption of the optical reconfigurable Grund-Alere VLSI reaches 1027 Mrad, and it is confirmed that permanent faults occur in logic switches and switch switches, and that the existing switch interface is possible to be a normal switch interface. 2. I/O output is High. Fault is confirmed. 1027 Mrad of radiation is absorbed. The radiation is absorbed by 1027 Mrad of radiation, and the degradation is confirmed by the use of VLSI.