Fabrication of UV detector using ZnO/Ga2O3 heterojunction
Fabrication of UV detector using ZnO/Ga2O3 heterojunction
利用 ZnO/Ga2O3 异质结制作紫外探测器
批准号：
17K05045
负责人：
Fujita Miki
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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会议论文
スパッタリング法を用いたn型Ga2O3の作製
溅射法制备n型Ga2O3
溅射法制备n型Ga2O3
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐々木悠介, 藤田実樹]
通讯作者：
藤田実樹
Homemade計測器による新規電子デバイス材料の特性評価
使用自制仪器表征新型电子器件材料
使用自制仪器表征新型电子器件材料
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
SEAJ Journal
影响因子：
--
作者：
[長谷川晴紀, 佐藤茉海,三島康, 八木麻実子, 藤田実樹]
通讯作者：
藤田実樹
スパッタリング法によるSi,Snを用いたGa2O3へのn型ドーピング
溅射法用 Si 和 Sn 对 Ga2O3 进行 N 型掺杂
溅射法用 Si 和 Sn 对 Ga2O3 进行 N 型掺杂
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤田実樹 , 井上 洋輔 , 長澤 凜太郎 , 構 祐美子 , 牧本 俊樹]
通讯作者：
牧本 俊樹
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