Fabrication of UV detector using ZnO/Ga2O3 heterojunction

利用 ZnO/Ga2O3 异质结制作紫外探测器

• 批准号: 17K05045
• 负责人: Fujita Miki
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Ichinoseki National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K05045/
• 关键词: Ga2O3; ドーピング; スパッタリング; n型; スズ; シリコン; 酸化ガリウム; アニーリング; 結晶工学; 電子デバイス・機器; 量子井戸; 結晶成長; 電子・電気材料

项目成果

スパッタリング法を用いたn型Ga2O3の作製

溅射法制备n型Ga2O3

• 发表时间: 2019
• 作者: 佐々木悠介;藤田実樹
• 通讯作者: 藤田実樹

Homemade計測器による新規電子デバイス材料の特性評価

使用自制仪器表征新型电子器件材料

• 发表时间: 2019
• 期刊: SEAJ Journal
• 作者: 長谷川晴紀;佐藤茉海,三島康;八木麻実子;藤田実樹
• 通讯作者: 藤田実樹

スパッタリング法によるSi,Snを用いたGa2O3へのn型ドーピング

溅射法用 Si 和 Sn 对 Ga2O3 进行 N 型掺杂

• 发表时间: 2019
• 作者: 藤田実樹 ; 井上 洋輔 ; 長澤 凜太郎 ; 構 祐美子 ; 牧本 俊樹
• 通讯作者: 牧本 俊樹