Atomic layer etching of transition metal chalcogenide with gas cluster ion beam
Atomic layer etching of transition metal chalcogenide with gas cluster ion beam
气体团簇离子束对过渡金属硫族化物的原子层刻蚀
批准号：
17K05061
负责人：
Toyoda Noriaki
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Low temperature wafer bonding with gas cluster ion beams
使用气体团簇离子束进行低温晶圆键合
使用气体团簇离子束进行低温晶圆键合
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Noriaki Toyoda, Shota Ikeda]
通讯作者：
Shota Ikeda
Atomic layer etching with gas cluster ion beam irradiation in reactive gas vapor
反应气体蒸气中气体团簇离子束照射的原子层蚀刻
反应气体蒸气中气体团簇离子束照射的原子层蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Noriaki Toyoda, Akihiro Ogawa, Isao Yamada]
通讯作者：
Isao Yamada
Irradiation conditions of gas cluster ion beam for surface-activated bonding
表面活化键合气体团簇离子束的照射条件
表面活化键合气体团簇离子束的照射条件
DOI：
10.7567/jjap.57.02ba02
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Noriaki Toyoda, Tomoya Sasaki, Shota Ikeda, Isao Yamada]
通讯作者：
Isao Yamada
Optimization of GCIB irradiation conditions for surface activated bonding Proceedings of 5th Int. Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
表面活化粘合 GCIB 辐照条件的优化第五届国际会议论文集
表面活化粘合 GCIB 辐照条件的优化第五届国际会议论文集
DOI：
10.23919/ltb-3d.2017.7947462
发表时间：
2017
期刊：
Proceedings of 5th Int. Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
影响因子：
--
作者：
[Shota Ikeda, Tomoya Sasaki, Noriaki Toyoda]
通讯作者：
Noriaki Toyoda
hfac吸着表面へのGCIB照射によるNiの原子層エッチング
hfac吸附表面GCIB辐照对Ni的原子层刻蚀
hfac吸附表面GCIB辐照对Ni的原子层刻蚀
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鶴岡 徹, 蘇 進, 辻田卓司, 西谷雄, 濱村朋史, 稲富友, 名倉健祐, 寺部 一弥, 植松 功多, 豊田 紀章]
通讯作者：
植松 功多, 豊田 紀章
共 22 条
海外基金