Atomic layer etching of transition metal chalcogenide with gas cluster ion beam

气体团簇离子束对过渡金属硫族化物的原子层刻蚀

基本信息

  • 批准号:
    17K05061
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Low temperature wafer bonding with gas cluster ion beams
使用气体团簇离子束进行低温晶圆键合
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Noriaki Toyoda;Shota Ikeda
  • 通讯作者:
    Shota Ikeda
Atomic layer etching with gas cluster ion beam irradiation in reactive gas vapor
反应气体蒸气中气体团簇离子束照射的原子层蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Noriaki Toyoda;Akihiro Ogawa;Isao Yamada
  • 通讯作者:
    Isao Yamada
Irradiation conditions of gas cluster ion beam for surface-activated bonding
表面活化键合气体团簇离子束的照射条件
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.02ba02
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Noriaki Toyoda;Tomoya Sasaki;Shota Ikeda;Isao Yamada
  • 通讯作者:
    Isao Yamada
Optimization of GCIB irradiation conditions for surface activated bonding Proceedings of 5th Int. Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鶴岡 徹;蘇 進;辻田卓司;西谷雄;濱村朋史;稲富友;名倉健祐;寺部 一弥;植松 功多, 豊田 紀章
  • 通讯作者:
    植松 功多, 豊田 紀章
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  • 通讯作者:
    斎藤 慎彦
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  • 通讯作者:
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