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Topological control of oxygen vacancy distribution in memristive materials for hypercomplex synaptic devices

超复杂突触装置忆阻材料中氧空位分布的拓扑控制

基本信息

批准号：
17K18881
负责人：
Sakai Akira
金额：
$ 4.16万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-06-30 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K18881/
关键词：
シナプス素子メモリスタ酸素空孔分布トポロジー抵抗変化電気着色現象増強／抑圧特性ゲート効果酸素空孔シナプスドリフト・拡散有限要素法シミュレーション不可逆領域走査透過電子顕微鏡結晶場分裂先端機能デバイス

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Resistive switching characteristics of four-terminal TiO2-x single crystal memristive devices

四端TiO2-x单晶忆阻器件的阻变特性

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shimizu Takuma;Takeuchi Shotaro;Tohei Tetsuya;Sakai Akira
通讯作者：
Sakai Akira

ゲート制御型4端子TiO2-xメモリスタによる可変シナプス機能の実装

利用门控 4 端 TiO2-x 忆阻器实现可变突触功能

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nagata Z;Shimizu T;Isaka T;Tohei T;Sakai A;永田善也，清水琢磨，井坂健，藤平哲也，酒井朗
通讯作者：
永田善也，清水琢磨，井坂健，藤平哲也，酒井朗

酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション

氧空位分布控制的四端忆阻器电阻变化机理的有限元模拟

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Abe;T. Seki;Y. Ohki;and M. Mizuno;永田善也，清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗
通讯作者：
永田善也，清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗

Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2-x four-terminal memristive device

金红石 TiO2-x 四端忆阻器件阻变区 Ti 价态分析

DOI：
10.7567/jjap.57.06kb02
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yamaguchi Kengo;Takeuchi Shotaro;Tohei Tetsuya;Ikarashi Nobuyuki;Sakai Akira
通讯作者：
Sakai Akira

TiO2-xエピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性

使用TiO2-x外延薄膜的4端忆阻器元件的电阻变化特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamaguchi Kengo;Takeuchi Shotaro;Tohei Tetsuya;Ikarashi Nobuyuki;Sakai Akira;永田善也，藤平哲也，酒井朗;三宅亮太郎，藤平哲也，酒井朗
通讯作者：
三宅亮太郎，藤平哲也，酒井朗

DOI：
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Sakai Akira其他文献

Analysis of Ti valence state in resistive switching region of rutile TiO2-x four-terminal memristive device

金红石TiO2-x四端忆阻器件阻变区Ti价态分析

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamaguchi Kengo;Takeucni Shotaro;Tohei Tetsuya;Ikarashi Nobuyuki;Sakai Akira
通讯作者：
Sakai Akira

Study of the Ferroelastic Phase Transition of TlH2PO4 Acoustic Phonon Softening

TlH2PO4声声子软化的铁弹相变研究

DOI：
10.1143/jpsj.60.188
发表时间：
1991
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Hanazawa Kazuhiro;Komukae Masaru;O. Toshio;Makita Yasuharu;Arai Masazumi;Yagi Toshirou;Sakai Akira
通讯作者：
Sakai Akira

Self-avoiding walk on random conductors

在随机导体上自回避行走

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuki Chino;Akira Sakai;Sakai Akira;Akira Sakai;Sakai Akira;Sakai Akira;Sakai Akira;Sakai Akira;Sakai Akira;Akira Sakai;Toshitake Kohno;Akira Sakai;Akira Sakai;Toshitake Kohno;Akira Sakai;Toshitake Kohno;Akira Sakai;T. Kohno;Akira Sakai
通讯作者：
Akira Sakai

FNAしなくてよい甲状腺結節とは？　甲状腺偶発腫瘍の頻度と内容

什么样的甲状腺结节不需要进行FNA？

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
乳腺甲状腺超音波医学
影响因子：
0
作者：
Ohira Tetsuya;Takahashi Hidedo;Yasumura Seiji;Ohtsuru Akira;Midorikawa Sanae;Suzuki Satoru;Fukushima Toshihiko;Shimura Hiroki;Ishikawa Tetsuo;Sakai Akira;Yamashita Shunichi;Tanigawa Koichi;Ohto Hitoshi;Abe Masafumi;Suzuki Shinichi; Fukushima;志村　浩己
通讯作者：
志村　浩己

CNT内包水・外側吸着水の1H-NMR測定

CNT包封水/外部吸附水的1H-NMR测量

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sakane Shunya;Isogawa Masayuki;Watanabe Kentaro;Kikkawa Jun;Takeuchi Shotaro;Sakai Akira;Nakamura Yoshiaki;新道裕介，林拓斗，橋本賢太，古川哲也，本間芳和，伊藤哲明
通讯作者：
新道裕介，林拓斗，橋本賢太，古川哲也，本間芳和，伊藤哲明