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Fabrication of quasi-free-standing epitaxial graphene to realize graphene-based devices

Fabrication of quasi-free-standing epitaxial graphene to realize graphene-based devices
制造准自支撑外延石墨烯以实现基于石墨烯的器件
批准号：
17K19065
负责人：
SUEMITSU Maki
金额：
$3.99万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-06-30 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K19065/
关键词：
グラフェンエピタキシャルグラフェン炭化ケイ素マイクロ波加熱界面層擬自立化グラフェンSiC

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Simple formation of quasi-free-standing epitaxial graphene (QFSEG) using microwave annealing
使用微波退火简单形成准自支撑外延石墨烯（QFSEG）
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Takashi Someya, Takushi Iimori, Fumio Komori, Iwao Matsuda, Maki Suemitsu]
通讯作者： Maki Suemitsu
Epitaxial graphene growth in Ar/H2 ambient
Ar/H2 环境下的外延石墨烯生长
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [K. S. Kim, H. Fukidome, and M. Suemitsu]
通讯作者： and M. Suemitsu
Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing
微波退火在 SiC(0001) 上形成准自支撑外延石墨烯
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu]
通讯作者： Maki Suemitsu
Gas-source MBE of cubic SiC on Si and formation of epitaxial graphene thereon
Si上立方SiC的气源MBE及其上外延石墨烯的形成
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Takashi Someya, Takushi Iimori, Fumio Komori, Iwao Matsuda, Maki Suemitsu, Maki Suemitsu]
通讯作者： Maki Suemitsu
共 7 条
    STUDIES ON STEP BEHAVIOR ON Si(110)SURFACE AND ITS APPLICATION TO SELF-ORGANIZED FORMATION OF GRAPHENE NANO-RIBBON
    • 批准号：
      21360017
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.56万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      SUEMITSU Maki
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Oxidation kinetics of Si(110) surface and electrical properties of the oxide as a basis for next-generation CMOS devices
    • 批准号：
      19360015
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.56万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      SUEMITSU Maki
    • 依托单位：
      Tohoku University
    SURFACE CHEMISTRY DURING SiC EPITAXIAL GROWTH USING ORGANO-SILANES
    • 批准号：
      12650025
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.62万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      SUEMITSU Maki
    • 依托单位：
      TOHOKU UNIVERSITY
    Surface chemistry of hydrogen on Si surfaces
    • 批准号：
      09450015
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.02万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      SUEMITSU Maki
    • 依托单位：
      TOHOKU UNIVERSITY
    海外基金