Development of monolithic cavity wavelength converter made of widegap semiconductors
Development of monolithic cavity wavelength converter made of widegap semiconductors
批准号:
17K19078
负责人:
Katayama Ryuji
金额:
$4.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-06-30 至 2019-03-31
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Abrupt Polarity Inversion of AlN for Second Harmonic Generation in DUV Region
深紫外区二次谐波产生的 AlN 极性突变
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama]
通讯作者:
T. Ito and R. Katayama
光導波路型マッハツェンダ干渉計のためのGaN方向性結合器
用于光波导马赫曾德干涉仪的 GaN 定向耦合器
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Naoya Arakawa, Jun-ichiro Ohe, 三輪 純也]
通讯作者:
三輪 純也
"疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN極性 反転構造の作製"
“通过面对面退火制造 AlN 极性反转结构,用于准相位匹配 SHG”
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kei Hiraiwa, Wataru Muranaga, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi, Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Aasaki, 林 侑介]
通讯作者:
林 侑介
Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models
晶圆键合制备AlN的极性反转及其原子排列模型
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Hayashi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito, R. Katayama]
通讯作者:
R. Katayama
AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発
AlN/GaN/LiNbO3表面活化晶圆键合技术的开发
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小野寺卓也, 上向井正裕, 髙橋一矢, 岩谷素顕, 赤﨑勇, 林侑介, 三宅秀人, 片山竜二]
通讯作者:
片山竜二
共 29 条
Development of High-Throughput Micro-LED Fabrication Process Utilizing Crystallographic Orientation Modulated Templates
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批准号:19K22145
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2019
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负责人:Katayama Ryuji
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依托单位:
Development of Compact Deep-UV Laser Based on Wavelength Converter Integrated with Blue Laser Light Sources
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批准号:26600082
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2014
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负责人:Katayama Ryuji
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依托单位:
海外基金