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Development of Compact Deep-UV Laser Based on Wavelength Converter Integrated with Blue Laser Light Sources

基于波长转换器与蓝色激光光源集成的紧凑型深紫外激光器的研制

基本信息

批准号：
26600082
负责人：
Katayama Ryuji
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Osaka University (2016)Tohoku University (2014-2015)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（48）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討

AlN基氮化物半导体晶圆键合技术研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
高橋一矢;篠田涼二;岩谷素顕;竹内哲也;上山智;服部友一;赤崎勇;片山竜二;上向井正裕
通讯作者：
上向井正裕

Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates

PLD-AlN 模板上 GaN 的极性控制 MOVPE 生长

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Yoo;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;T. Hanada;R. Katayama;and T. Matsuoka
通讯作者：
and T. Matsuoka

Ga‐polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter‐scale wide terraces

DOI：
10.1002/pssa.201600754
发表时间：
2017-09
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
0
作者：
T. Iwabuchi;S. Kuboya;T. Tanikawa;T. Hanada;R. Katayama;T. Fukuda;T. Matsuoka
通讯作者：
T. Iwabuchi;S. Kuboya;T. Tanikawa;T. Hanada;R. Katayama;T. Fukuda;T. Matsuoka

Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Mg/Ga和V/III源比对金属有机气相外延生长N极p型GaN空穴浓度的影响

DOI：
10.7567/jjap.55.05fe01
发表时间：
2016
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
R. Nonoda;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;R. Katayama;and T. Matsuoka
通讯作者：
and T. Matsuoka

Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation

用于深紫外二次谐波产生的横向准相位匹配AlN波导的设计

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Mitani;R. Katayama;J. Yoo;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;and T. Matsuoka
通讯作者：
and T. Matsuoka

DOI：
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作者：
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Katayama Ryuji其他文献

Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

边缘限定薄膜馈送生长 β-Ga2O3 衬底中纳米管的观察及其对同质外延表面小丘的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/acc18e
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji

Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure

无极性反转结构的低双折射顺电材料整体微腔二次谐波发生装置

DOI：
10.35848/1882-0786/abff9e
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Nambu Tomoaki;Nagata Takumi;Umeda Soshi;Shiomi Keishi;Fujiwara Yasufumi;Hikosaka Toshiki;Mannan Abdul;Bagsican Filchito Renee G.;Serita Kazunori;Kawayama Iwao;Tonouchi Masayoshi;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji

誘電体メタサーフェスの基礎とバイオセンシングへの応用

介电超表面基础知识及其在生物传感中的应用

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Murata Tomotaka;Ikeda Kazuhisa;Yamasaki Jun;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji;高原淳一
通讯作者：
高原淳一

Spin-orbitronics in nanostructures

纳米结构中的自旋轨道电子学

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji;Masaki Mizuguchi
通讯作者：
Masaki Mizuguchi

Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

N 极 (000-1) InGaN/GaN 多量子阱中单量子限制结构的双激子发射

DOI：
10.1002/pssb.201700454
发表时间：
2017
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji