Development of Compact Deep-UV Laser Based on Wavelength Converter Integrated with Blue Laser Light Sources
基于波长转换器与蓝色激光光源集成的紧凑型深紫外激光器的研制
基本信息
- 批准号:26600082
- 负责人:
- 金额:$ 2.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(48)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討
AlN基氮化物半导体晶圆键合技术研究
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高橋 一矢;篠田 涼二;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;服部 友一;赤崎 勇;片山 竜二;上向井 正裕
- 通讯作者:上向井 正裕
Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates
PLD-AlN 模板上 GaN 的极性控制 MOVPE 生长
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. Yoo;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;T. Hanada;R. Katayama;and T. Matsuoka
- 通讯作者:and T. Matsuoka
Ga‐polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter‐scale wide terraces
- DOI:10.1002/pssa.201600754
- 发表时间:2017-09
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Iwabuchi;S. Kuboya;T. Tanikawa;T. Hanada;R. Katayama;T. Fukuda;T. Matsuoka
- 通讯作者:T. Iwabuchi;S. Kuboya;T. Tanikawa;T. Hanada;R. Katayama;T. Fukuda;T. Matsuoka
Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Mg/Ga和V/III源比对金属有机气相外延生长N极p型GaN空穴浓度的影响
- DOI:10.7567/jjap.55.05fe01
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. Nonoda;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;R. Katayama;and T. Matsuoka
- 通讯作者:and T. Matsuoka
Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation
用于深紫外二次谐波产生的横向准相位匹配AlN波导的设计
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Mitani;R. Katayama;J. Yoo;K. Shojiki;T. Tanikawa;S. Kuboya;and T. Matsuoka
- 通讯作者:and T. Matsuoka
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Katayama Ryuji其他文献
Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks
边缘限定薄膜馈送生长 β-Ga2O3 衬底中纳米管的观察及其对同质外延表面小丘的影响
- DOI:
10.35848/1347-4065/acc18e - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji - 通讯作者:
Katayama Ryuji
Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure
无极性反转结构的低双折射顺电材料整体微腔二次谐波发生装置
- DOI:
10.35848/1882-0786/abff9e - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Nambu Tomoaki;Nagata Takumi;Umeda Soshi;Shiomi Keishi;Fujiwara Yasufumi;Hikosaka Toshiki;Mannan Abdul;Bagsican Filchito Renee G.;Serita Kazunori;Kawayama Iwao;Tonouchi Masayoshi;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji - 通讯作者:
Katayama Ryuji
Spin-orbitronics in nanostructures
纳米结构中的自旋轨道电子学
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji;Masaki Mizuguchi - 通讯作者:
Masaki Mizuguchi
誘電体メタサーフェスの基礎とバイオセンシングへの応用
介电超表面基础知识及其在生物传感中的应用
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Murata Tomotaka;Ikeda Kazuhisa;Yamasaki Jun;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji;高原淳一 - 通讯作者:
高原淳一
Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
N 极 (000-1) InGaN/GaN 多量子阱中单量子限制结构的双激子发射
- DOI:
10.1002/pssb.201700454 - 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji - 通讯作者:
Katayama Ryuji
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Development of High-Throughput Micro-LED Fabrication Process Utilizing Crystallographic Orientation Modulated Templates
利用晶体取向调制模板开发高通量 Micro-LED 制造工艺
- 批准号:
19K22145 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Development of monolithic cavity wavelength converter made of widegap semiconductors
宽禁带半导体单片腔波长转换器的开发
- 批准号:
17K19078 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
相似海外基金
第二高調波発生による気水界面における分子マシンの力学適刺激応答性の解明
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- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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建立光学二次谐波检测不同尺度电磁活性磁序的基本原理
- 批准号:
23KJ0141 - 财政年份:2023
- 资助金额:
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- 批准号:
04J08038 - 财政年份:2004
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- 批准号:
16740171 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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- 批准号:
11740412 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
半導体超微粒子積層薄膜による第二高調波発生の試み
尝试使用半导体超微粒子的层叠薄膜来产生二次谐波
- 批准号:
09875012 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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- 批准号:
08650005 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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中心对称有机分子薄膜光学二次谐波产生机理
- 批准号:
08740538 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
半導体超微粒子積層薄膜による第二高調波発生の試み
尝试使用半导体超微粒子的层叠薄膜来产生二次谐波
- 批准号:
08875009 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
光第二高調波発生法による超伝導体表面の研究
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- 批准号:
07740251 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 2.58万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)