Modeling and simulation of OFET-based circuits

基于 OFET 的电路的建模和仿真

基本信息

  • 批准号:
    5451868
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    德国
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    德国
  • 起止时间:
    2004-12-31 至 2007-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Unser Ziel ist, Modellierungs- und Simulations-Werkzeuge für die Beschreibung und die Optimierung der organischen Dünnfilmtransistoren und für das Design der auf ihnen basierten Schaltungen zu entwickeln. Diese Tätigkeit soll Richtlinien anderen Gruppen des SSP zur Verfügung stellen, die in die technologischen Aktivitäten miteinbezogen sind, um die Eigenschaften der Bauelemente zu optimieren und einfache OTFT-basierte Schaltungen zu realisieren (wie zum Beispiel Inverter und aktive Zellen für vollorganische Bildschirme und Detektor-Arrays). Die Tätigkeit wird in drei Stufen durchgeführt. Zuerst werden die Transporteigenschaften der organischen Filme mittels Monte-Carlo Simulationen studiert, die die Hopping -Transportprozesse erklären, die für die elektrische Leitfähigkeit verantwortlich sind. Die Parameter, die von der Monte-Carlo Simulation bestimmt worden sind, werden in einen geeigneten modifizierten kommerziellen Simulator (ISETCADTM) übernommen, der den gesamten Transistor simuliert. An dieser Stelle wird der Einfluss von geometrischen sowie technologischen Parametern auf die OTFT-Eigenschaften analysiert. Insbesondere werden wir die Vorteile studieren, die mit unterschiedlichen Oxiden und/oder Metallen erzielt werden können. Am Ende werden OTFT-basierte Schaltungen mittels physikalischer Simulationen auf Transistorebene (mit ISETCADTM) sowie mit SPICE-ähnlichen Ansätzen entworfen. Zuerst wird das statische Verhalten untersucht, wobei der Schwerpunkt auf einfachen Architekturen liegt, wie zum Beispiel Inverter und aktive Matrizen, in denen die OTFTs mit einer organischen LED oder mit einem organischen Photodetektor verbunden sind. In einem späteren Stadium werden dynamische Simulationen ebenfalls durchgeführt.
Unser Ziel is,Modellierungs- und Simulations-Werkzeuge für die Beschreibung und die Optimierung der organischen Dünnfilmtransstoren und für das Design der auf ihnen basierten Schaltungen zu entwickeln.该Tätigkeit soll Richtlinien anderen Gruppen des SSP zur Verfügung stellen,die in die technologischen Aktivitäten miteinbezogen sind,um die Eigenschaften der Bauelemente zu optieren und einfache OTFT-basierte Schaltungen zu realisieren(wie zum Beispiel Inverter und aktive Zellen für vollorganische Bildschirme und Detektor-Arrays).这三个地方都是你的地盘。最后韦尔登通过蒙特-卡罗模拟研究了组织电影的运输过程,跳跃运输过程非常成功,对于电动车辆来说,这是非常值得的。参数,由蒙特-卡罗模拟计算,韦尔登在一个geeigneten modifizierten kommerziellen Simulator(ISETCADTM)中指定,用于一般晶体管模拟。本文介绍了几何扫描技术参数对OTFT特征值分析的影响。在韦尔登我们研究的最后一项研究中,我们发现了不稳定的氧化物和/或金属韦尔登。最后,基于韦尔登的Schaltungen将物理模拟应用于Transistorebene(使用ISETCADTM),并使用SPICE-无源程序进行工作。首先,在采用有机LED或有机光电探测器的OTFT中,采用基于结构的光电点,如采用双反相器和有源矩阵,可以实现静态检测。在一个体育场的韦尔登动态模拟在ebenfalls durchgeführt。

项目成果

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