Modeling and simulation of OFET-based circuits

(1)模型学与仿真学；(2)系统动力学与优化学；(3)系统动力学与优化学；(3)系统动力学与优化学；(3)系统动力学与优化学；(4)系统动力学与优化学；(3)系统动力学与优化学。disese Tätigkeit soll Richtlinien anderen Gruppen SSP zur verf<e:1> gung stelen, die in die technology chen Aktivitäten miteinbezogen sind, um die Eigenschaften der Bauelemente zu optimien and ininffache otft - basite Schaltungen zu realisieren （wie zum Beispiel Inverter and tive Zellen f<e:1> r vollorganische Bildschirme and delktor - arrays）。Die Tätigkeit wind in drei Stufen durchgef<s:1> hrt。在Monte-Carlo simulation studiert， die die Hopping -Transportprozesse erklären, die ferter die elektrische Leitfähigkeit verantwortich sind。模具参数，模具蒙特卡罗模拟，模态估计，模态模拟，模态模拟（ISETCADTM），模态模拟，模态模拟。本文提出了一种基于几何特征的流场分析方法。insbesonere werden wir die Vorteile studieren, die mit interschiedlichen Oxiden and / der Metallen erzielt werden können。Am Ende werden OTFT-basierte Schaltungen mitels物理仿真器模拟晶体管（mit ISETCADTM）和mit SPICE-ähnlichen Ansätzen entworfen。Zuerst wind为statische Verhalten untersucht，为der Schwerpunkt auf einfachen Architekturen灯，为zum Beispiel逆变器和有源矩阵，在denen die OTFTs为einer organisen LED为einem organisen photodetector verbunden sind。在einem späteren体育场werden动力学模拟ebenfalls durchgef1。

Unser Ziel ist, Modellierungs- und Simulations-Werkzeuge für die Beschreibung und die Optimierung der organischen Dünnfilmtransistoren und für das Design der auf ihnen basierten Schaltungen zu entwickeln. Diese Tätigkeit soll Richtlinien anderen Gruppen des SSP zur Verfügung stellen, die in die technologischen Aktivitäten miteinbezogen sind, um die Eigenschaften der Bauelemente zu optimieren und einfache OTFT-basierte Schaltungen zu realisieren (wie zum Beispiel Inverter und aktive Zellen für vollorganische Bildschirme und Detektor-Arrays). Die Tätigkeit wird in drei Stufen durchgeführt. Zuerst werden die Transporteigenschaften der organischen Filme mittels Monte-Carlo Simulationen studiert, die die Hopping -Transportprozesse erklären, die für die elektrische Leitfähigkeit verantwortlich sind. Die Parameter, die von der Monte-Carlo Simulation bestimmt worden sind, werden in einen geeigneten modifizierten kommerziellen Simulator (ISETCADTM) übernommen, der den gesamten Transistor simuliert. An dieser Stelle wird der Einfluss von geometrischen sowie technologischen Parametern auf die OTFT-Eigenschaften analysiert. Insbesondere werden wir die Vorteile studieren, die mit unterschiedlichen Oxiden und/oder Metallen erzielt werden können. Am Ende werden OTFT-basierte Schaltungen mittels physikalischer Simulationen auf Transistorebene (mit ISETCADTM) sowie mit SPICE-ähnlichen Ansätzen entworfen. Zuerst wird das statische Verhalten untersucht, wobei der Schwerpunkt auf einfachen Architekturen liegt, wie zum Beispiel Inverter und aktive Matrizen, in denen die OTFTs mit einer organischen LED oder mit einem organischen Photodetektor verbunden sind. In einem späteren Stadium werden dynamische Simulationen ebenfalls durchgeführt.