Modeling and simulation of OFET-based circuits

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Unser Ziel ist, Modellierungs- und Simulations-Werkzeuge für die Beschreibung und die Optimierung der organischen Dünnfilmtransistoren und für das Design der auf ihnen basierten Schaltungen zu entwickeln. Diese Tätigkeit soll Richtlinien anderen Gruppen des SSP zur Verfügung stellen, die in die technologischen Aktivitäten miteinbezogen sind, um die Eigenschaften der Bauelemente zu optimieren und einfache OTFT-basierte Schaltungen zu realisieren (wie zum Beispiel Inverter und aktive Zellen für vollorganische Bildschirme und Detektor-Arrays). Die Tätigkeit wird in drei Stufen durchgeführt. Zuerst werden die Transporteigenschaften der organischen Filme mittels Monte-Carlo Simulationen studiert, die die Hopping -Transportprozesse erklären, die für die elektrische Leitfähigkeit verantwortlich sind. Die Parameter, die von der Monte-Carlo Simulation bestimmt worden sind, werden in einen geeigneten modifizierten kommerziellen Simulator (ISETCADTM) übernommen, der den gesamten Transistor simuliert. An dieser Stelle wird der Einfluss von geometrischen sowie technologischen Parametern auf die OTFT-Eigenschaften analysiert. Insbesondere werden wir die Vorteile studieren, die mit unterschiedlichen Oxiden und/oder Metallen erzielt werden können. Am Ende werden OTFT-basierte Schaltungen mittels physikalischer Simulationen auf Transistorebene (mit ISETCADTM) sowie mit SPICE-ähnlichen Ansätzen entworfen. Zuerst wird das statische Verhalten untersucht, wobei der Schwerpunkt auf einfachen Architekturen liegt, wie zum Beispiel Inverter und aktive Matrizen, in denen die OTFTs mit einer organischen LED oder mit einem organischen Photodetektor verbunden sind. In einem späteren Stadium werden dynamische Simulationen ebenfalls durchgeführt.