Submicron-scale selective metallization process for 3D integration technology
Submicron-scale selective metallization process for 3D integration technology
用于3D集成技术的亚微米级选择性金属化工艺
批准号：
17H02769
负责人：
MINARI Takeo
金额：
$10.98万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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疎水性ナノグルーブ表面によって配向させた液晶性高分子有機電界効果トランジスタの特性評価
疏水纳米槽表面取向的液晶聚合物有机场效应晶体管的表征
疏水纳米槽表面取向的液晶聚合物有机场效应晶体管的表征
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[坂本 謙二, ブルガレビッチ キリル, 安田 剛, 三成 剛生, 竹内 正之]
通讯作者：
竹内 正之
中国科学院/中山大学/鄭州大学(中国)
中国科学院/中山大学/郑州大学（中国）
中国科学院/中山大学/郑州大学（中国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Very High Electrical Stability of Bottom-Gate/Top-Contact Type Polymer-Based Organic Field-Effect Transistors with Perfluoropolymer-Coated Gate Dielectrics
具有全氟聚合物涂层栅极电介质的底栅极/顶接触型聚合物有机场效应晶体管具有极高的电气稳定性
具有全氟聚合物涂层栅极电介质的底栅极/顶接触型聚合物有机场效应晶体管具有极高的电气稳定性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Bulgarevich Kirill, 坂本謙二, 三成剛生, 安田剛, 三木一司, 竹内正之]
通讯作者：
竹内正之
Zhengzhou University/Sun Yat-Sen University(China)
郑州大学/中山大学（中国）
郑州大学/中山大学（中国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
High-resolution patterning of organic thin-film Transistors
有机薄膜晶体管的高分辨率图案化
有机薄膜晶体管的高分辨率图案化
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xuying Liu, Takeo Minari]
通讯作者：
Takeo Minari
共 18 条
All-solution-processed fabrication of organic transistors on paper
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批准号：21750197
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2009
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负责人：MINARI Takeo
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依托单位：
海外基金