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新規な無電解めっき法によるシリコンウエハ貫通電極の形成と評価

使用新型化学镀方法通过电极形成硅片并进行评估

基本信息

批准号：
10J04517
负责人：
井上史大
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Kansai University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

昨年度までにパラジウムナノ粒子を用いることで、高密度の触媒吸着、無電解めっき膜の薄膜化、平坦化などに成功したが、本年度は更にこのパラジウムナノ粒子がTSV全体に高密度かつ凝集なく吸着するといったナノ粒子特有の触媒吸着を更に詳細に観察、分析を行った。このパラジウムナノ粒子の平坦膜上及びTSVパターン形状内部での吸着挙動を観察することによりナノ粒子吸着のモデル化、処理高速化に成功した。また更には有機絶縁膜上においてもこのナノ粒子はSiO2上と非常に似た吸着挙動、メカニズムを示す事を明らかにした。並行してSiO2、有機絶縁膜上でのパラジウムナノ粒子を触媒とする無電解バリア、シード膜のTSV内堆積形状をめっき条件により制御し、TSV内壁にコンフォーマルに堆積させた。また触媒の付与量やサイズ、熱処理、めっき膜の薄膜化などにより無電解めっき膜で問題となっている密着性の大幅な改善に成功した。上記結果に加え、無電解銅めっきのめっき液安定性を評価し、十分にウエハレベルでの処理に対応可能であることを見出した。この無電解銅めっきは高スペクト比TSV内部に連続な薄膜Cuの堆積が可能であり、直径2μm、深さ30μm、アスペクト比15といった世界でも成功、報告例のないTSVの完全埋め込みに成功した。

Last year, the use of high-density catalyst adsorption, non-electrolytic film thin film, planarization and success, this year, the use of high-density catalyst adsorption particles for TSV as a whole, high-density aggregation and adsorption, and more detailed observation and analysis of catalyst adsorption specific to particles. The adsorption of particles on the flat film and inside the TSV shape was observed, and the adsorption of particles was improved and the processing speed was increased. In addition, the organic insulating film has a very high adsorption capacity, and the organic insulating film has a very high adsorption capacity. In parallel, SiO2 and organic insulating film are deposited on the surface of TSV without electrolyte. The deposition shape of TSV film is controlled under different conditions. The deposition of TSV particles on the inner wall of TSV is controlled. The application of catalyst, heat treatment, film formation, electroless film formation and adhesion problems were greatly improved. The above results show that the stability of electrolytic copper solution is evaluated and the treatment of electrolytic copper solution is possible. This electroless copper layer is higher than that of TSV inner layer. Cu layer is possible to be deposited. Diameter is 2μm, depth is 30μm, thickness is 15 μm, and TSV layer is completely buried successfully.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Direct Electroless Cu Seed Fabrication on Vapor Deposition Polymerization of Polyimide in Through-Si Via

硅通孔中聚酰亚胺气相沉积聚合的直接化学镀铜种子制备

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
F.Inoue;T.Yokoyama;S.Tanaka;K.Yamamoto;S.Shingubara;井上史大
通讯作者：
井上史大

Thin Diffusion Barrier Formation Using Electroless Plating in Fine TSVs

在精细 TSV 中使用化学镀形成薄扩散势垒

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
F.Inoue;H.Miyake;R.Arima;K.Kondo;T.Hayashi;T.Shimizu;S.Shingubara
通讯作者：
S.Shingubara

Electroless Deposition of Barrier and Seed Layers for Via Last Cu-TSV Metallization

通过最后的 Cu-TSV 金属化进行阻挡层和种子层的无电镀沉积

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
F.Inoue;T.Yokoyama;S.Tanaka;K.Yamamoto;S.Shingubara;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大;井上史大
通讯作者：
井上史大

Low Temperature Through-Si Via Fabrication Using Electroless Deposition

使用化学沉积进行低温硅通孔制造

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
F.Inoue;H.Philipsen;A.Radisic;S Armini;P.Leunissen;H.Miyake;R.Arima;T.Shimizu;T.Ito;H.Seki;Y.Shinozaki;T.Yamamoto;S.Shingubara
通讯作者：
S.Shingubara

Novel seed layer formation using direct electroless copper deposition on ALD-Ru layer for high aspect ratio TSV

DOI：
10.1109/iitc.2012.6251660
发表时间：
2012-06
期刊：
2012 IEEE International Interconnect Technology Conference
影响因子：
0
作者：
F. Inoue;H. Philipsen;A. Radisic;S. Armini;Y. Civale;P. Leunissen;S. Shingubara
通讯作者：
F. Inoue;H. Philipsen;A. Radisic;S. Armini;Y. Civale;P. Leunissen;S. Shingubara