Development of MOCVD growth technique for transition metal dichalcogenides and exploring their photonic functionalities
Development of MOCVD growth technique for transition metal dichalcogenides and exploring their photonic functionalities
过渡金属二硫属化物MOCVD生长技术的发展及其光子功能的探索
批准号：
17H03241
负责人：
SAKUMA Yoshiki
金额：
$11.23万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
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ガス原料CVDを用いたTMDC単層膜成長におけるガラス基板の効果
玻璃基板对气态原料CVD生长TMDC单层薄膜的影响
玻璃基板对气态原料CVD生长TMDC单层薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐久間 芳樹, 李 世勝, 池田 直樹, 大竹 晃浩]
通讯作者：
大竹 晃浩
DOI：
10.1021/acs.jpcc.9b11278
发表时间：
2020-03-05
期刊：
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
影响因子：
3.7
作者：
[Ohtake, Akihiro, Sakuma, Yoshiki]
通讯作者：
Sakuma, Yoshiki
チューナブルなファブリー・ペロー型光共振器中の二次元半導体の光スペクトル
可调谐法布里-珀罗光学腔中二维半导体的光谱
可调谐法布里-珀罗光学腔中二维半导体的光谱
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉川康太，佐藤郁也，田中瑞樹， 藤田崚，浅岡陽一，鳥居祥二，小澤俊介，森正樹，他CALETチーム, Taku Izubuchi, 片平博夫,久保直人,寺平成希,佐久間芳樹,池沢道男]
通讯作者：
片平博夫,久保直人,寺平成希,佐久間芳樹,池沢道男
Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構
Se处理的GaAs(111)B表面的稳定机制
Se处理的GaAs(111)B表面的稳定机制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大竹 晃浩, 後藤俊治, 中村淳]
通讯作者：
中村淳
Study on novel isoelectronic traps in GaAs and control of their optical properties for the development of advanced quantum light source
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批准号：25289091
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.32万
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财政年份：2013
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负责人：SAKUMA Yoshiki
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依托单位：
A study of control and use of single impurity energy levels in semiconductors toward advanced functions for quantum information communication technology.
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批准号：22360133
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$9.73万
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财政年份：2010
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负责人：SAKUMA Yoshiki
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依托单位：
Studies on exciton fine structures of quantum dots for generating entangled photon pairs at telecommunication wavelength
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批准号：19360013
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.06万
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财政年份：2007
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负责人：SAKUMA Yoshiki
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依托单位：
海外基金