Development of MOCVD growth technique for transition metal dichalcogenides and exploring their photonic functionalities

过渡金属二硫属化物MOCVD生长技术的发展及其光子功能的探索

基本信息

  • 批准号:
    17H03241
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
ガス原料CVDを用いたTMDC単層膜成長におけるガラス基板の効果
玻璃基板对气态原料CVD生长TMDC单层薄膜的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    佐久間 芳樹;李 世勝;池田 直樹;大竹 晃浩
  • 通讯作者:
    大竹 晃浩
Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy
  • DOI:
    10.1021/acs.jpcc.9b11278
  • 发表时间:
    2020-03-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Ohtake, Akihiro;Sakuma, Yoshiki
  • 通讯作者:
    Sakuma, Yoshiki
Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構
Se处理的GaAs(111)B表面的稳定机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大竹 晃浩;後藤俊治;中村淳
  • 通讯作者:
    中村淳
チューナブルなファブリー・ペロー型光共振器中の二次元半導体の光スペクトル
可调谐法布里-珀罗光学腔中二维半导体的光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉川康太,佐藤郁也,田中瑞樹, 藤田崚,浅岡陽一,鳥居祥二,小澤俊介,森正樹,他CALETチーム;Taku Izubuchi;片平博夫,久保直人,寺平成希,佐久間芳樹,池沢道男
  • 通讯作者:
    片平博夫,久保直人,寺平成希,佐久間芳樹,池沢道男
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