A study of control and use of single impurity energy levels in semiconductors toward advanced functions for quantum information communication technology.

研究半导体中单一杂质能级的控制和使用，以实现量子信息通信技术的高级功能。

• 批准号: 22360133
• 负责人: SAKUMA Yoshiki
• 金额: $ 9.73万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360133/
• 关键词: 量子閉じ込め; 量子ドット; 励起子; 単一光子; 等電子準位; 不純物; MOCVD

To make the single-photon sources with identical emission wavelength and intensity, a research on control and use of the localized energy levels of isoelectronic impurities in III-V compound semiconductors has been done. In particular, we clarified an appropriate nitrogen doping method into GaAs and demonstrated a single-photon emission with identical energy for the first time. The emission lifetime and polarization property were also revealed. Many basic data and useful knowledge, which are essential to the relevant research and development in near future, were obtained through this research.

为了使单光子源具有相同的发射波长和强度，对III-V族化合物半导体中等电子杂质局域能级的控制和利用进行了研究。特别是，我们澄清了一个适当的氮掺杂到GaAs的方法，并首次证明了具有相同能量的单光子发射。同时也揭示了其发光寿命和偏振特性。通过本课题的研究，获得了许多基础数据和有用的知识，为今后的相关研究和开发提供了必要的依据。

项目成果

窒素を導入したGaPナノワイヤの結晶成長及び光学特性

氮引入的GaP纳米线的晶体生长和光学性质

• 发表时间: 2011
• 作者: Yumiko Ueno;M.Watanabe;中尾
• 通讯作者: 中尾

Optical spectroscopy of individual nitrogen impurity centers in GaAs and single photon emission from a bright center

GaAs 中单个氮杂质中心的光谱和亮中心的单光子发射

• 发表时间: 2012
• 作者: Michio Ikezawa;Liao Zhang;Yosinori Sone;Tatsuya Mori;Takenobu Hamano;Yoshiki Sakuma;Kazuaki Sakoda;Yasuaki Masumoto
• 通讯作者: Yasuaki Masumoto

Droplet Epitaxy in Lattice-Mismatched Systems

晶格不匹配系统中的液滴外延

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Ishiyama;T. Fujii;Y. Ishii;M. Fukuda;M. Jo et al.
• 通讯作者: M. Jo et al.

SSPDによる量子情報通信向け単一光子源の特性評価

使用 SSPD 表征量子信息通信的单光子源

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Fukushima;K.-W. Lee;T. Tanaka;andM. Koyanagi;竹本一矢ら
• 通讯作者: 竹本一矢ら

AlAs中のN等電子中心

AlAs 中的 N 等电子中心

• 发表时间: 2012
• 作者: K.Iwai;M.Miyagi;Y.Shi;Y.Matsuura;定昌史
• 通讯作者: 定昌史