A study of control and use of single impurity energy levels in semiconductors toward advanced functions for quantum information communication technology.

研究半导体中单一杂质能级的控制和使用，以实现量子信息通信技术的高级功能。

• 批准号: 22360133
• 负责人: SAKUMA Yoshiki
• 金额: $ 9.73万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360133/
• 关键词: 量子閉じ込め; 量子ドット; 励起子; 単一光子; 等電子準位; 不純物; MOCVD

To make the single-photon sources with identical emission wavelength and intensity, a research on control and use of the localized energy levels of isoelectronic impurities in III-V compound semiconductors has been done. In particular, we clarified an appropriate nitrogen doping method into GaAs and demonstrated a single-photon emission with identical energy for the first time. The emission lifetime and polarization property were also revealed. Many basic data and useful knowledge, which are essential to the relevant research and development in near future, were obtained through this research.

为了使单光子源具有相同的发射波长和强度，已经进行了IIII-V复合半导体中等异杂质杂质的局部能级的研究。特别是，我们将适当的氮掺杂方法澄清到GAAS中，并首次证明了具有相同能量的单光子发射。发射寿命和极化特性也揭示了。通过这项研究获得了许多基本数据和有用的知识，对于不久的将来对于相关的研究和发展至关重要。

项目成果

Droplet Epitaxy in Lattice-Mismatched Systems

晶格不匹配系统中的液滴外延

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Ishiyama;T. Fujii;Y. Ishii;M. Fukuda;M. Jo et al.
• 通讯作者: M. Jo et al.

液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドット形状の液滴サイズ依存性

液滴外延法制备的砷化镓量子点形状与液滴尺寸的关系

• 发表时间: 2012
• 作者: K.Takenaga;Y.Arakawa;Y.Sasaki;S.Tanigawa;S.Matsuo;K.Saitoh;M.Koshiba;Yoshiki Asayama et al.;間野高明ら
• 通讯作者: 間野高明ら

AlAs中のN等電子中心

AlAs 中的 N 等电子中心

• 发表时间: 2012
• 作者: K.Iwai;M.Miyagi;Y.Shi;Y.Matsuura;定昌史
• 通讯作者: 定昌史

SSPDによる量子情報通信向け単一光子源の特性評価

使用 SSPD 表征量子信息通信的单光子源

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Fukushima;K.-W. Lee;T. Tanaka;andM. Koyanagi;竹本一矢ら
• 通讯作者: 竹本一矢ら

Fabrication of GaNAs/AlGaAs Heterostructures with Large Band Offset Using Periodic Growth Interruption

利用周期性生长中断制造具有大能带偏移的 GaNs/AlGaAs 异质结构

• DOI: 10.1143/apex.4.125001
• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: T.Mano;et al
• 通讯作者: et al