Study on novel isoelectronic traps in GaAs and control of their optical properties for the development of advanced quantum light source

GaAs中新型等电子陷阱及其光学特性控制的研究，用于先进量子光源的开发

• 批准号: 25289091
• 负责人: SAKUMA Yoshiki
• 金额: $ 10.32万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289091/
• 关键词: 量子閉じ込め; 単一不純物; 励起子; 単一光子; 等電子トラップ; フォトニック結晶; パーセル効果; MOCVD; 量子ドット; 結晶工学; 半導体物性; 光物性

项目成果

Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A

GaAs (111)A 上 GaSb 量子点的生长

• DOI: 10.1380/ejssnt.2014.304
• 发表时间: 2014
• 期刊: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
• 影响因子: 0.7
• 作者: T. Kawazu;T. Noda;T. Mano;Y. Sakuma;and H. Sakaki
• 通讯作者: and H. Sakaki

Single-Photon Generation from Nitrogen Isoelectronic Traps in III-V Semiconductors

III-V 族半导体中氮等电子陷阱产生单光子

• DOI: 10.1002/9783527699940.ch7
• 发表时间: 2017
• 作者: Y. Sakuma;M. Ikezawa;Liaolin Zhang
• 通讯作者: Liaolin Zhang

Recombination dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers in delta-doped GaP

δ 掺杂 GaP 中与氮等电子中心结合的激子的复合动力学

• DOI: 10.1103/physrevb.89.075308
• 发表时间: 2014
• 期刊: Phys. Rev. B
• 作者: P.St-Jean;G. Ethier-Majcher;Y. Sakuma;and S. Francoeur
• 通讯作者: and S. Francoeur

Two-step photocurrent generation in droplet epitaxy GaAs/AlGaAs QD-IBSCs

液滴外延 GaAs/AlGaAs QD-IBSC 中的两步光电流产生

• 作者: Takaaki Mitsueda;Masayuki Mori;and Koichi Maezawa;Takatoki Yamamoto;E. Martinほか
• 通讯作者: E. Martinほか

ナノスケールヘテロ接合の形成とデバイス特性

纳米级异质结的形成和器件性能

• 作者: M. Hori;T. Watanabe;T. Tsuchiya;Y. Ono;佐久間芳樹ほか
• 通讯作者: 佐久間芳樹ほか