Research on Silicon Carbide Harsh Environment Electronics

碳化硅恶劣环境电子研究

基本信息

批准号：
17H03253
负责人：
Kuroki Shin-Ichiro
金额：
$ 11.15万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer

具有硅酸钡界面层的 4H-SiC NMOSFET 的伽马射线辐照诱导迁移率增强

DOI：
10.7567/1347-4065/ab2dab
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Kosuke Muraoka;Hiroshi Sezaki;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Takahiro Makino;Akinori Takeyama;Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
通讯作者：
Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki

4H-SiC Pixel Device with UV Photodiode and MOSFETs for Radiation-Hardened UV Image Sensors

具有 UV 光电二极管和 MOSFET 的 4H-SiC 像素器件，用于抗辐射 UV 图像传感器

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kenta Nishigaito;Tatsuya Meguro;Akinori Takeyama;Takeshi Ohshima;Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki
通讯作者：
Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki

SiC極限環境エレクトロニクスと放射光による薄膜・界面状態分析

使用同步加速器辐射进行 SiC 极端环境电子学和薄膜/界面状态分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
岡田智徳;井上純;西山文隆;瀬崎洋;黒木伸一郎;Shin-Ichiro Kuroki;黒木伸一郎
通讯作者：
黒木伸一郎

Radiation Hardened Silicon Carbide Electronics

抗辐射碳化硅电子产品

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Muraoka;S. Ishikawa;H. Sezaki;T. Maeda;T. Makino;T. Ohshima;S.-I. Kuroki
通讯作者：
S.-I. Kuroki

Ba導入nMOSFETsに対するBTS試験およびガンマ線照射

Ba 引入的 nMOSFET 的 BTS 测试和伽马射线照射

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
梶原純;黒木伸一郎;瀬崎洋;石川誠治，前田知徳; 牧野高紘;大島武;Mikael Ostling;and Carl-Mikael Zetterling;村岡幸輔，瀬崎洋，石川誠治，前田知徳，牧野高紘，大島武，黒木伸一郎
通讯作者：
村岡幸輔，瀬崎洋，石川誠治，前田知徳，牧野高紘，大島武，黒木伸一郎

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Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications

适合恶劣环境应用的碳化硅物联网平台研究

批准号：
20H00252
财政年份：
2020
资助金额：
$ 11.15万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Research on Radiation-Hardened CMOS Integrated Circuits using Wide Bandgap SiC Semiconductor(Fostering Joint International Research)

使用宽带隙SiC半导体的抗辐射CMOS集成电路的研究（促进国际联合研究）

批准号：
15KK0240
财政年份：
2016
资助金额：
$ 11.15万
项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)

相似海外基金

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

建立支持人类拓展疆域的SiC极端环境电子学

批准号：
24H00035
财政年份：
2024
资助金额：
$ 11.15万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)