课题基金 / 基金详情

Research on Silicon Carbide Harsh Environment Electronics

Research on Silicon Carbide Harsh Environment Electronics
碳化硅恶劣环境电子研究
批准号：
17H03253
负责人：
Kuroki Shin-Ichiro
金额：
$11.15万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H03253/
关键词：
シリコンカーバイド半導体極限環境エレクトロニクスCMOS集積回路電子デバイス耐放射線シリコンカーバイドMOSFET耐高温動作廃炉技術電子デバイス・電子機器電子デバイス・集積回路極限環境

项目摘要

项目成果

Kuroki Shin-Ichiro的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer
具有硅酸钡界面层的 4H-SiC NMOSFET 的伽马射线辐照诱导迁移率增强
DOI： 10.7567/1347-4065/ab2dab
发表时间： 2019
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Kosuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki]
通讯作者： Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
4H-SiC Pixel Device with UV Photodiode and MOSFETs for Radiation-Hardened UV Image Sensors
具有 UV 光电二极管和 MOSFET 的 4H-SiC 像素器件，用于抗辐射 UV 图像传感器
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki]
通讯作者： Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki
SiC極限環境エレクトロニクスと放射光による薄膜・界面状態分析
使用同步加速器辐射进行 SiC 极端环境电子学和薄膜/界面状态分析
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [岡田 智徳, 井上 純, 西山 文隆, 瀬崎 洋, 黒木 伸一郎, Shin-Ichiro Kuroki, 黒木伸一郎]
通讯作者： 黒木伸一郎
Radiation Hardened Silicon Carbide Electronics
抗辐射碳化硅电子产品
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Muraoka, S. Ishikawa, H. Sezaki, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, S.-I. Kuroki]
通讯作者： S.-I. Kuroki
共 63 条
    Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications
    • 批准号：
      20H00252
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $29.37万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Kuroki Shin-Ichiro
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Research on Radiation-Hardened CMOS Integrated Circuits using Wide Bandgap SiC Semiconductor(Fostering Joint International Research)
    • 批准号：
      15KK0240
    • 项目类别：
      Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
    • 资助金额：
      $9.07万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Kuroki Shin-Ichiro
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    海外基金