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Research on Radiation-Hardened CMOS Integrated Circuits using Wide Bandgap SiC Semiconductor(Fostering Joint International Research)

Research on Radiation-Hardened CMOS Integrated Circuits using Wide Bandgap SiC Semiconductor(Fostering Joint International Research)
使用宽带隙SiC半导体的抗辐射CMOS集成电路的研究（促进国际联合研究）
批准号：
15KK0240
负责人：
Kuroki Shin-Ichiro
金额：
$9.07万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016 至 2017
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15KK0240/
关键词：
極限環境エレクトロニクスシリコンカーバイドCMOS集積回路MOSFETs耐放射線高温動作廃炉技術耐高温動作MOSFET耐放射線デバイス耐高温デバイス

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スウェーデン王立工科大学(スウェーデン)
瑞典皇家理工学院（瑞典）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics
适用于恶劣环境电子产品的 4H-SiC 伪 CMOS 逻辑逆变器
DOI： --
发表时间： 2017
期刊： Mat. Sci. Forum
影响因子： --
作者： [S-I. Kuroki, T. Kurose, H. Nagatsuma, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling]
通讯作者： and C.-M. Zetterling
Formation of amorphous alloys on 4H-SiC with NbNi film using pulsed-laser annealing
DOI： 10.1063/1.4955406
发表时间： 2016-07-04
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [De Silva, Milantha, Ishikawa, Seiji, Kuroki, Shin-Ichiro]
通讯作者： Kuroki, Shin-Ichiro
4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics
用于抗辐射电子产品的 4H-SiC MOSFET 和逻辑逆变器
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Shin-Ichiro Kuroki, Hirofumi Nagatsuma, Tatsuya Kurose, Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takamaro Kikkawa, Takahiro Makino, Takashi Ohshima, Mikael Ostling, and Carl-Mikael Zetterling]
通讯作者： and Carl-Mikael Zetterling
共 25 条
    Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications
    • 批准号：
      20H00252
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $29.37万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Kuroki Shin-Ichiro
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Research on Silicon Carbide Harsh Environment Electronics
    • 批准号：
      17H03253
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Kuroki Shin-Ichiro
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    海外基金