Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications
Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications
适合恶劣环境应用的碳化硅物联网平台研究
批准号：
20H00252
负责人：
Kuroki Shin-Ichiro
金额：
$29.37万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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DOI：
10.1063/5.0095457
发表时间：
2022-06
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[K. Kojima;Shin‐ichiro Sato;T. Ohshima;S. Kuroki]
通讯作者：
K. Kojima;Shin‐ichiro Sato;T. Ohshima;S. Kuroki
DOI：
10.35848/1347-4065/abc924
发表时间：
2020-11
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Vuong Van Cuong;S. Ishikawa;Tomonori Maeda;H. Sezaki;T. Meguro;S. Kuroki]
通讯作者：
Vuong Van Cuong;S. Ishikawa;Tomonori Maeda;H. Sezaki;T. Meguro;S. Kuroki
Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits
无阱CMOS电路掺钒4H-SiC半绝缘层的双极特性
无阱CMOS电路掺钒4H-SiC半绝缘层的双极特性
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki]
通讯作者：
and Shin-Ichiro Kuroki
エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成
通过外延生长形成 4H-SiC CMOS 阱
通过外延生长形成 4H-SiC CMOS 阱
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[甲斐 陶弥 , 児島一聡, 志摩 拓真, 大島 武, 田中 保宣, 黒木 伸一郎]
通讯作者：
黒木 伸一郎
SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築
使用 SiC 半导体构建极端环境电子产品
使用 SiC 半导体构建极端环境电子产品
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[黒木 伸一郎, 志摩 拓真, 目黒 達也, Vuong Van Cuong, 武山 昭憲, 牧野 高紘, 大島 武, 児島 一聡, 田中 保宣]
通讯作者：
田中 保宣
共 40 条
Research on Silicon Carbide Harsh Environment Electronics
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批准号：17H03253
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2017
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负责人：Kuroki Shin-Ichiro
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依托单位：
Research on Radiation-Hardened CMOS Integrated Circuits using Wide Bandgap SiC Semiconductor(Fostering Joint International Research)
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批准号：15KK0240
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项目类别：Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
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资助金额：$9.07万
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财政年份：2016
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负责人：Kuroki Shin-Ichiro
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依托单位：
海外基金