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Inovation of topological materials and electronic properies

拓扑材料和电子特性创新

基本信息

批准号：
18F18328
负责人：
Chen Yong
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-11-09 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

トポロジカル絶縁体における異常ホール効果の観測を目的として、下記の研究を遂行した。(1)一般的なエピタキシャル成長法を作製されたヘテロ界面と比較し、Wet Transfer 法を用いて、Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3(BSTS)を純水中にてフローさせ、Cr2Ge2Te6(CGT)基板上にBSTS-CGTヘテロ界面を作製し、巨大異常ホール効果を観測した。Magnetic proximity effectの性質はCGT基板の質とトポロジカル絶縁体/CGT界面の方位に起因する。本研究で得られたMagnetic proximity effectは多様なFMI基板に応用可能であり、磁性トポロジカル絶縁体における学理と応用を見据えた研究が可能となる。本結果は、Phys. Rev. Materials 5, 024208に研究成果として掲載されている。また、これらの結果は東北大学Y.P.Chen研究室内のグループ内共同研究（松下助教など）として実施した。(2)磁性トポロジカル絶縁体ヘテロ界面に用いるMn(BixSb1-x)2Te4をBi2Te3/Sb2Te3フラックス法にて作製することも成功した。これらの材料はSbのドープ量を調整することで二極性を調整することができる。現在、我々の研究では、このドープ量を調整し、30%程度まで調整が可能となっている。これらの結果から、本研究の目的であるトポロジカル絶縁体における異常ホール効果の観測を更に進めることが可能となった。

The purpose of the study is to make a study and to carry out the research. (1) in general, the growth method is used to compare the interface, the Wet Transfer method, the Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3 (BSTS) method, the BSTS-CGT interface on the Cr2Ge2Te6 (CGT) substrate, and so on. Magnetic proximity effect performance of CGT substrate

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Phase transition and anomalous scaling in the quantum Hall transport of topological-insulator Sn-Bi1.1Sb0.9Te2S devices

拓扑绝缘体 Sn-Bi1.1Sb0.9Te2S 器件量子霍尔传输中的相变和反常尺度

DOI：
10.1103/physrevb.99.081113
发表时间：
2019
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Xie Faji;Zhang Shuai;Liu Qianqian;Xi Chuanying;Kang Ting-Ting;Wang Rui;Wei Boyuan;Pan Xing-Chen;Zhang Minhao;Fei Fucong;Wang Xuefeng;Pi Li;Yu Geliang L.;Wang Baigeng;Song Fengqi
通讯作者：
Song Fengqi

Reversible engineering of topological insulator surface state conductivity through optical excitation

通过光激发拓扑绝缘体表面态电导率的可逆工程

DOI：
10.1088/1361-6528/abde01
发表时间：
2020-09
期刊：
Nanotechnology
影响因子：
3.5
作者：
Xie F.;Lian Z.;Zhang S.;Wang T.;Miao S.;Song Z.;Ying Z.;Pan X.-C.;Long M.;Zhang M.;Fei F.;Hu W.;Yu G.;Song F.;Kang T.-T.;Shi S.-F.
通讯作者：
Shi S.-F.

Increased Curie temperature and enhanced perpendicular magneto anisotropy of Cr2Ge2Te6/NiO heterostructures

DOI：
10.1063/1.5130930
发表时间：
2019-12-02
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Idzuchi, H.;Allcca, A. E. Llacsahuanga;Chen, Y. P.
通讯作者：
Chen, Y. P.

2 次元磁性体Cr2Ge2Te6 界面の誘起する強磁性転移温度上昇

二维磁性材料 Cr2Ge2Te6 界面处引起的铁磁转变温度升高

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Idzuchi;A. E. Llacsahuanga Allcca;X. C. Pan;K. Tanigaki;and Y. P. Chen
通讯作者：
and Y. P. Chen

DOI：
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通讯作者：
Chen Yong

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Gao Hongjun

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Liu Yu

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发表时间：
2020-05
期刊：
Current Analytical Chemistry
影响因子：
1.8
作者：
Li Xiaoyan;Xie Hui;Luo Guiling;Niu Yanyan;Li Xiaobao;Xi Yaru;Xiong Yi;Chen Yong;Sun Wei
通讯作者：
Sun Wei