Inovation of topological materials and electronic properies

拓扑材料和电子特性创新

• 批准号: 18F18328
• 负责人: Chen Yong
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-11-09 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18F18328/
• 关键词: トポロジカル絶縁体; 異常ホール効果; 強磁性薄膜; 電子輸送特性; 結晶成長; 電子物性

トポロジカル絶縁体における異常ホール効果の観測を目的として、下記の研究を遂行した。(1)一般的なエピタキシャル成長法を作製されたヘテロ界面と比較し、Wet Transfer 法を用いて、Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3(BSTS)を純水中にてフローさせ、Cr2Ge2Te6(CGT)基板上にBSTS-CGTヘテロ界面を作製し、巨大異常ホール効果を観測した。Magnetic proximity effectの性質はCGT基板の質とトポロジカル絶縁体/CGT界面の方位に起因する。本研究で得られたMagnetic proximity effectは多様なFMI基板に応用可能であり、磁性トポロジカル絶縁体における学理と応用を見据えた研究が可能となる。本結果は、Phys. Rev. Materials 5, 024208に研究成果として掲載されている。また、これらの結果は東北大学Y.P.Chen研究室内のグループ内共同研究（松下助教など）として実施した。(2)磁性トポロジカル絶縁体ヘテロ界面に用いるMn(BixSb1-x)2Te4をBi2Te3/Sb2Te3フラックス法にて作製することも成功した。これらの材料はSbのドープ量を調整することで二極性を調整することができる。現在、我々の研究では、このドープ量を調整し、30%程度まで調整が可能となっている。これらの結果から、本研究の目的であるトポロジカル絶縁体における異常ホール効果の観測を更に進めることが可能となった。

ト ポ ロ ジ カ ル never try body に お け る abnormal ホ ー ル unseen fruit の 観 を purpose of と し て, remember を の research carries out し た. (1) Generally, the なエピタキシャ なエピタキシャ growth method を is used to create the されたヘテロ interface と for comparison and Wet Transfer Method を with い て, Bi1.5 Sb0.5 Te1.7 Se1.3 (BSTS) を pure water に て フ ロ ー さ せ, Cr2Ge2Te6 (CGT) substrate に BSTS - CGT ヘ テ ロ し the interface を cropping, huge exception ホ ー ル unseen fruit を 観 measuring し た. Magnetic proximity effect とトポロジカ property とトポロジカ CGT substrate とトポロジカ orientation に cause する This study で have ら れ た Magnetic proximity effect は others more な FMI substrate に 応 may use で あ り, Magnetic ト ポ ロ ジ カ ル never try body に お け る academic と 応 with を see according to え た study が may と な る. This result に, Phys. Rev. Materials 5, 024208に research results と て て published されて る る る. ま た, こ れ ら の results は Northeastern University Y.P.C hen study indoor の グ ル ー プ in joint research (panasonic ta な ど) と し て be applied し た. (2) magnetic ト ポ ロ ジ カ ル never try body ヘ テ に ロ interface with い る Mn (BixSb1 - x) 2 te4 を Bi2Te3 / Sb2Te3 フ ラ ッ ク ス method に て cropping す る こ と も successful し た. こ れ ら の material は Sb の ド ー を プ quantity adjustment す る こ と で adjustment polarity を す る こ と が で き る. Now, I'm 々 の research で は, こ の ド ー プ を adjustment し, 30% degree ま で adjustment が may と な っ て い る. こ れ ら の results か ら purpose, this study の で あ る ト ポ ロ ジ カ ル never try body に お け る abnormal ホ ー ル unseen fruit の 観 を measurement more に め る こ と が may と な っ た.

项目成果

Phase transition and anomalous scaling in the quantum Hall transport of topological-insulator Sn-Bi1.1Sb0.9Te2S devices

拓扑绝缘体 Sn-Bi1.1Sb0.9Te2S 器件量子霍尔传输中的相变和反常尺度

• DOI: 10.1103/physrevb.99.081113
• 发表时间: 2019
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Xie Faji;Zhang Shuai;Liu Qianqian;Xi Chuanying;Kang Ting-Ting;Wang Rui;Wei Boyuan;Pan Xing-Chen;Zhang Minhao;Fei Fucong;Wang Xuefeng;Pi Li;Yu Geliang L.;Wang Baigeng;Song Fengqi
• 通讯作者: Song Fengqi

Reversible engineering of topological insulator surface state conductivity through optical excitation

通过光激发拓扑绝缘体表面态电导率的可逆工程

• DOI: 10.1088/1361-6528/abde01
• 发表时间: 2020-09
• 期刊: Nanotechnology
• 影响因子: 3.5
• 作者: Xie F.;Lian Z.;Zhang S.;Wang T.;Miao S.;Song Z.;Ying Z.;Pan X.-C.;Long M.;Zhang M.;Fei F.;Hu W.;Yu G.;Song F.;Kang T.-T.;Shi S.-F.
• 通讯作者: Shi S.-F.

Increased Curie temperature and enhanced perpendicular magneto anisotropy of Cr2Ge2Te6/NiO heterostructures

• DOI: 10.1063/1.5130930
• 发表时间: 2019-12-02
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Idzuchi, H.;Allcca, A. E. Llacsahuanga;Chen, Y. P.
• 通讯作者: Chen, Y. P.

2 次元磁性体Cr2Ge2Te6 界面の誘起する強磁性転移温度上昇

二维磁性材料 Cr2Ge2Te6 界面处引起的铁磁转变温度升高

• 发表时间: 2020
• 作者: H. Idzuchi;A. E. Llacsahuanga Allcca;X. C. Pan;K. Tanigaki;and Y. P. Chen
• 通讯作者: and Y. P. Chen