Robust terrestrial photovoltaics in space: High-efficiency radiation-resistant CIGS sol ar cells
Robust terrestrial photovoltaics in space: High-efficiency radiation-resistant CIGS sol ar cells
批准号:
18F18358
负责人:
杉山 睦
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-11-09 至 2021-03-31
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英文摘要
前年度までの知見を用いながら、電子線および陽子照射を照射したCs添加CIGS太陽電池の耐久特性・劣化メカニズムを明らかにした。電子線照射試験より、1E15 cm-2程度のフルエンス(加速電圧2MeV)照射したのCIGS太陽電池は、Csありなしに関係なく電子線照射によって特性が向上する「自己修復特性」を有することを明らかにした。また、電子線照射によって誘発される欠陥の形成は、CIGS薄膜へのCsなど重いアルカリ金属の添加とは無関係に生じることを示唆することができた。一方、陽子線照射試験では、1E12 cm-2程度のフルエンス(加速電圧380keV)照射したCIGS太陽電池特性への大きな影響が観察された。起電流の低下が主な劣化要因であり、はじめは長波長(900-1200nm)領域での減衰が顕著であった。照射フルエンスの増加に伴い、影響を受けた領域は他の短波長領域に拡張され、顕著なVocおよびFF損失も誘発された。これは、陽子線照射がCIGSバルク、その後太陽電池構成層の各界面を徐々に劣化させたことを反映していることを明らかにした。更に、太陽電池の陽子線照射による劣化メカニズムを明らかにするため、DC重畳電気化学インピーダンス分光法を用い、陽子線照射後に新しい複素数型の欠陥を誘発することを明らかにした。陽子線照射シミュレーション(SRIM)とインピーダンスモデル解析を併用することで、CIGS太陽電池の損傷した領域は、n-CdS / p-CIGS pn接合、n-ZnO / n-CdS、およびp-CIGS / Moであることを明確にした。
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Cesium-Related Compound―An Emerging Chalcogenide Material and Its Influence on CIGS Thin-Film Solar Cells
铯相关化合物——一种新兴的硫系材料及其对CIGS薄膜太阳能电池的影响
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ishwor Khatri, Tzu-Ying Lin, Mutsumi Sugiyama,Tokio Nakada]
通讯作者:
Mutsumi Sugiyama,Tokio Nakada
The Effect of Electron Irradiation on Cesium Fluoride-Free and Cesium Fluoride-Treated Cu(In1-x,Gax)Se2 Solar Cells
电子辐照对无氟化铯和氟化铯处理的 Cu(In1-x,Gax)Se2 太阳能电池的影响
DOI:
10.1002/pssr.201900415
发表时间:
2019
期刊:
Physica Status Solidi (RRL)-Rapid Research Letters
影响因子:
--
作者:
[Ishwor Khatri, Tzu-Ying Lin, Tokio Nakada, Mutsumi Sugiyama]
通讯作者:
Mutsumi Sugiyama
Investigation of metastable behavior on cesium fluoride treated CIGS solar cells
氟化铯处理的 CIGS 太阳能电池亚稳态行为的研究
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ishwor Khatri, Tzu-Ying Lin, Mutsumi Sugiyama, Tokio Nakada]
通讯作者:
Tokio Nakada
Metastable effect on heavy alkali-metal treated CIGS solar cell
重碱金属处理的 CIGS 太阳能电池的亚稳态效应
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ishwor Khatri, Tzu-Ying Lin, Mutsumi Sugiyama,Tokio Nakada]
通讯作者:
Mutsumi Sugiyama,Tokio Nakada
Cesium-induced Surface Modification on Cu(In,Ga)Se2 Thin Film using Cesium Fluoride Post Deposition Treatment without Selenium-vapor Supply
使用氟化铯后沉积处理在不提供硒蒸气的情况下对 Cu(In,Ga)Se2 薄膜进行铯诱导表面改性
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tzu-Ying Lin, Ishwor Khatri, Matsuura Junpei, Kosuke Shudo, Mutsumi Sugiyama, Chih-Huang Lai, Tokio Nakada]
通讯作者:
Tokio Nakada
共 8 条
Fabrication of visible-light-transparent flexible IoT sensors using oxide semiconductors
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批准号:21K04696
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2021
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负责人:杉山 睦
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依托单位:
海外基金