Breaking the performance limit of spin transistors by using quantum transport
Breaking the performance limit of spin transistors by using quantum transport
利用量子传输突破自旋晶体管的性能极限
批准号：
18H01492
负责人：
Pham Nam Hai
金额：
$11.15万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Si系ナノサイズのスピンバルブの世界記録更新
硅基纳米旋转阀打破世界纪录
硅基纳米旋转阀打破世界纪录
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Large spin-dependent magnetoresistance and output voltage in the nanoscale Si spin-valve devices
纳米级硅自旋阀器件中的大自旋相关磁阻和输出电压
纳米级硅自旋阀器件中的大自旋相关磁阻和输出电压
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai]
通讯作者：
and Pham Nam Hai
Fabrication and evaluation of lateral spin-valve devices using MnAs spin injector
使用 MnAs 自旋注入器的横向自旋阀器件的制造和评估
使用 MnAs 自旋注入器的横向自旋阀器件的制造和评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Keita Yamane, Kenichiro Yao, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai]
通讯作者：
Pham Nam Hai
世界最高値のスピンバルブ比12%を達成
实现世界最高旋转阀比率12%
实现世界最高旋转阀比率12%
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Spin-valve effect in nanoscale Si-based devices
纳米级硅基器件中的自旋阀效应
纳米级硅基器件中的自旋阀效应
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
Featured Article, AAPPS Bulletin
影响因子：
--
作者：
[Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai]
通讯作者：
and Pham Nam Hai
共 10 条
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