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Growth of GaN-based devices on metal and glass substrates using layered BN

使用层状 BN 在金属和玻璃基板上生长 GaN 基器件

基本信息

批准号：
18H01886
负责人：
Kobayashi Yasuyuki
金额：
$ 9.07万
依托单位：
Hirosaki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ガラス基板上MBE成長BN薄膜のラマン散乱

玻璃基板上 MBE 生长的 BN 薄膜的拉曼散射

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
小林康之;小豆畑敬;中澤日出樹;岡本浩;廣木正伸;熊倉一英
通讯作者：
熊倉一英

MBEによるガラス基板上h-BN薄膜の膜厚評価

MBE法评价玻璃基板上h-BN薄膜的膜厚

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
畠山直樹;小豆畑敬;中澤日出樹;岡本浩;廣木正伸;熊倉一英;小林康之
通讯作者：
小林康之

MBEによるガラス基板上BN薄膜成長

MBE 在玻璃基板上生长 BN 薄膜

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
小林康之;中田啓一;中澤日出樹;岡本浩;廣木正伸;熊倉一英
通讯作者：
熊倉一英

MOVPE and MBE Growth of GaN-based Heterostructures on h-BN Release Layers

h-BN 释放层上 GaN 基异质结构的 MOVPE 和 MBE 生长

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Kobayashi;M. Hiroki;and K. Kumakura
通讯作者：
and K. Kumakura

六方晶窒化ホウ素リリース層上の窒化物半導体成長とその応用

六方氮化硼脱模层上氮化物半导体的生长及其应用

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
小林康之;廣木正伸;熊倉一英
通讯作者：
熊倉一英

DOI：
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作者：
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Kobayashi Yasuyuki其他文献

Differential expression of a stress‐regulated gene Nr4a2 characterizes early‐ and late‐born hippocampal granule cells

应激调节基因 Nr4a2 的差异表达是早生和晚生海马颗粒细胞的特征

DOI：
10.1002/hipo.23045
发表时间：
2019
期刊：
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3.5
作者：
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
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DOI：
10.1111/iju.13544
发表时间：
2018
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International Journal of Urology
影响因子：
2.6
作者：
Tanaka Kazushi;Teishima Jun;Takenaka Atsushi;Shiroki Ryoichi;Kobayashi Yasuyuki;Hattori Kazunori;Kanayama Hiro-omi;Horie Shigeo;Yoshino Yasushi;Fujisawa Masato
通讯作者：
Fujisawa Masato

Utility of biomolecular motors for a minimal artificial brain

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Nakazawa Hideki;Nakamura Kazuki;Osanai Hiroya;Sasaki Yuya;Koriyama Haruto;Kobayashi Yasuyuki;Enta Yoshiharu;Suzuki Yushi;Suemitsu Maki;加藤康佑，津金麻実子，篠原啓佑，沖田勉，鈴木宏明;Arif Md. Rashedul Kabir
通讯作者：
Arif Md. Rashedul Kabir