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Mechanical transfer of GaN-based devices using layered BN

Mechanical transfer of GaN-based devices using layered BN
使用层状氮化硼机械转移氮化镓基器件
批准号：
26246015
负责人：
Kobayashi Yasuyuki
金额：
$24.54万
依托单位：
Hirosaki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26246015/
关键词：
半導体結晶成長半導体物性BNMBEGaN六方晶BNGaN系薄膜機械的転写分子線エピタキシー六方晶窒化ホウ素分子線エピタキシー装置

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h-BN/AlNバッファ層を用いたサファイア基板上GaN薄膜のMBE成長
使用 h-BN/AlN 缓冲层在蓝宝石衬底上 MBE 生长 GaN 薄膜
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [小林康之, 中田啓一, 中澤日出樹, 岡本浩, 廣木正伸, 熊倉一英]
通讯作者： 熊倉一英
Growth of Single-Crystal (0001) GaN Films on (0001) Sapphire Substrates Using h-BN Buffer Layers by Molecular Beam Epitaxy
使用 h-BN 缓冲层通过分子束外延在 (0001) 蓝宝石衬底上生长单晶 (0001) GaN 薄膜
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura]
通讯作者： K. Kumakura
Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers
使用 h-BN/AlN 缓冲层在蓝宝石衬底上等离子体辅助分子束外延生长 GaN 薄膜
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura]
通讯作者： K. Kumakura
Growth of GaN-based Semiconductors on h-BN Release Layers
GaN 基半导体在 h-BN 释放层上的生长
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Kobayashi, K. Nakata, M. Hiroki, K. Kumakura]
通讯作者： K. Kumakura
共 7 条
    Investigation of a new application of sparse modeling to an abonormality itself
    • 批准号：
      19K20224
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $0.67万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Kobayashi Yasuyuki
    • 依托单位：
      Teikyo University
    Development of anti-infective and highly hemocompatible central venous catheter using Diamond-like carbon
    • 批准号：
      19K16979
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Kobayashi Yasuyuki
    • 依托单位：
      Okayama University
    Growth of GaN-based devices on metal and glass substrates using layered BN
    • 批准号：
      18H01886
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.07万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Kobayashi Yasuyuki
    • 依托单位：
      Hirosaki University
    Basic research on next-generation gene therapy using restricted-replication adenovirus
    • 批准号：
      18K09194
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Kobayashi Yasuyuki
    • 依托单位：
      Okayama University
    海外基金