高速スイッチングインバータ駆動時のモータシステムの磁気・鉄損特性の研究
高速スイッチングインバータ駆動時のモータシステムの磁気・鉄損特性の研究
批准号:
22K04082
负责人:
八尾 惇
金额:
$2.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2022-04-01 至 2025-03-31
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英文摘要
本研究では、高速スイッチング動作可能なインバータ (直流交流変換回路)駆動時の低損失モータ研究を行う。ここでは、高速スイッチング動作可能なインバータ駆動時のモータシステムの高効率化の原理検証を行う。本年度、主に、下記の3点の成果を得た。(1)本年度、高速スイッチング動作実現のための検討を行った。SiCパワーMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)とそのSiC CMOS (Complementary MOS)ゲートドライバをフリップチップボンディングを使用し3次元直接接合したSiC 3DパワーICを開発し、そのスイッチング動作を実現した。開発したSiC 3DパワーICのスイッチング時間は、従来のワイヤーボンディングを用い接続した場合と比較し、スイッチング時間が10%以上短縮されることを明らかとした (令和5年電気学会全国大会発表、The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023) 採択決定(オーラル発表予定)) 。(2)本年度、高速スイッチング動作時のノイズ低減のための検討を行った。還流ダイオードがターンオンする直前に dv/dt を低減するアクティブゲート制御を適用し、高速スイッチングとサージ電圧の低減を両立可能であることを確認した (令和5年電気学会全国大会発表)。(3)本年度、高速インバータ駆動時の過渡特性を考慮した磁性材料の特性評価のために、スイッチング動作時の過渡特性の検討を行った。検討した数値計算手法により、実験結果を表現できることを明らかとした。
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フリップチップボンディングを用いたパワーMOSFETとCMOSゲートドライバを直接接合したSiC 3DパワーICの一検討
采用倒装芯片键合直接键合功率 MOSFET 和 CMOS 栅极驱动器的 SiC 3D 功率 IC 的研究
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[八尾惇, 岡本光央, 佐藤伸二, 山口大輝, 佐藤弘]
通讯作者:
佐藤弘
半導体装置
半导体设备
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Experimental Verification of a Gate-Drive Circuit Using Distributed Signal Processing for Fast-Switching Operation of SiC MOSFETs
使用分布式信号处理实现 SiC MOSFET 快速开关操作的栅极驱动电路的实验验证
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
Proceedings of 2022 International Power Electronics Conference
影响因子:
--
作者:
[Daiki Yamaguchi, Shinji Sato, Atsushi Yao, Hiroshi Sato]
通讯作者:
Hiroshi Sato
アクティブゲート制御によるMOSFETの出力容量と浮遊インダクタンスの共振抑制効果の解析
有源栅极控制对MOSFET输出电容和杂散电感的谐振抑制效果分析
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Kato, and F. Kitayama, 長沼大樹,加藤雅之, 山口大輝,佐藤伸二,八尾惇,佐藤弘]
通讯作者:
山口大輝,佐藤伸二,八尾惇,佐藤弘
A SiC 3D Power IC Directly Integrating a Power MOSFET With Its CMOS Gate Driver Using Flip Chip Bonding
使用倒装芯片接合直接集成功率 MOSFET 及其 CMOS 栅极驱动器的 SiC 3D 功率 IC
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
Proceedings of 2023 International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子:
--
作者:
[Atsushi Yao, Mitsuo Okamoto, Shinji Sato, Daiki Yamaguchi, Hiroshi Sato]
通讯作者:
Hiroshi Sato
非線形MEMS共振器を用いた演算形メモリの開発
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批准号:14J00462
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2014
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负责人:八尾 惇
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依托单位:
海外基金