酸化ガリウム低指数面の清浄・吸着表面の原子構造と電気特性

低折射率氧化镓表面清洁和吸附表面的原子结构和电性能

基本信息

  • 批准号:
    22K04177
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

本研究の目的はβ- 酸化ガリウム自体の持つ優れた特性から期待される潜在的なデバイス性能を限界まで引き出すために必要となる電極や誘電体との理想的な界面構造の実現を目指して、2種のIII族サイトをつβ- 酸化ガリウムの表面および金属やその酸化物との界面で安定となる原子構造はどのようなものか、どのような原子間相互作用によってそれらの構造ができるのかを解明することである。今年度は(010) 、(001)、(-201)面というデバイス作製に用いられている代表的な低指数面について真空中加熱で得られた清浄表面の全反射高速陽電子回折(TRHEPD)測定を高エネルギー加速器研究機構(KEK)・物質構造科学研究所・低速陽電子実験施設で行った。単斜晶であるβ- 酸化ガリウムをはじめとする任意の結晶構造の表面原子配列に対してTRHEPDと反射高速電子回折(RHEED)の動力学的回折計算ができるソフトを作成し公開した。さらに視射角走査と方位角走査の複合的な走査条件下での複数の回折点の強度曲線について、すべて同時に実験を再現できる原子構造を探索するR因子最小化ソフトを作成した。今年度は実験結果の蓄積と解析ソフトの作成までを主に行った。鏡面反射強度曲線のみを用いた表面垂直方向に限った予備的な構造解析によると、真空加熱表面の原子配列は単純なバルクの切断面では無く、ガリウムと酸素の表面原子欠損と原子変位を大きく変調させることで実験結果を再現できることが分かった。
The purpose of this study is to limit the potential performance of the beta-acidifying membrane itself and to introduce the necessary and ideal interface structure of the electrode, dielectric and the electrode. The atomic structure of the surface of the beta-acidifying membrane and the interface between the metal substrate and the acidifier are stable and stable. The structure of the atom interaction is explained by the interaction between atoms. This year,(010),(001),(-201) surfaces are represented by low index surfaces, which are heated in vacuum to obtain total reflection high speed positron retroreflection (TRHEPD) measurements on clean surfaces. The calculation of the kinetic backfolding of TRHEPD and reflective high speed electron backfolding (RHEED) for any crystal structure is disclosed. The intensity curve of multiple inflection points under the condition of composite observation of view angle and azimuth angle is calculated, and the R factor is minimized under the condition of simultaneous reconstruction of atomic structure. This year, the results of the accumulation and analysis of the main line of action Specular reflection intensity curve is used in the vertical direction of the surface to limit the preparation of structural analysis, vacuum heating surface atomic arrangement is pure, cut surface is free, it is difficult to adjust the atomic position of the surface atomic loss, the result is reproduced.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

花田 貴其他文献

サファイヤ基板上に新しいバツファー層を用いた高品質ZnOのMBE成長
使用蓝宝石衬底上的新型缓冲层进行 MBE 生长高质量 ZnO
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    朴 珍燮;嶺岸 耕;朴昇煥;任寅鍋;花田 貴;洪淳玖;張志豪;チョ明煥;八百隆文
  • 通讯作者:
    八百隆文
窒素ドーピングされたZnO薄膜の格子変形
氮掺杂ZnO薄膜的晶格变形
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    朴 昇煥;呉東哲;嶺岸 耕;朴 珍燮;任 寅鎬;張 志豪;花田 貴;チョ明煥;八百隆文
  • 通讯作者:
    八百隆文
BaCl2/NaCl/KCl系共晶体の作製と発光特性評価
BaCl2/NaCl/KCl共晶的制备及发光性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    瀧澤 優威;鎌田 圭;Kyoung Jin Kim;吉野 将生;山路 晃広;黒澤 俊介;横田 有為;佐藤 浩樹;豊田 智史;大橋 雄二;花田 貴;Vladimir. V. Kochurikhin;吉川 彰
  • 通讯作者:
    吉川 彰
ZnO薄膜への窒素ドーピング
ZnO薄膜中氮掺杂
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    朴 昇煥;嶺岸 耕;朴 珍燮;任寅錦;花田 貴;チョ明煥;八百隆文
  • 通讯作者:
    八百隆文
赤色発光を示すヨウ化物中性子シンチレータの発光特性
红光碘化物中子闪烁体的发光特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤原 千隼;黒澤 俊介;山路 晃広;田中 浩紀;高田 卓志;大橋 雄二;横田 有為;鎌田 圭;佐藤 浩樹;豊田 智史;吉野 将生;村上 力輝斗;堀合 毅彦;花田 貴;吉川 彰
  • 通讯作者:
    吉川 彰

花田 貴的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('花田 貴', 18)}}的其他基金

周期分極反転した酸化亜鉛による励起子共鳴非線形波長変換
使用周期性偏振氧化锌的激子共振非线性波长转换
  • 批准号:
    18656004
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
金属ガラス合金の軽元素周辺の局所構造と結合状態
金属玻璃合金中轻元素周围的局部结构和键合状态
  • 批准号:
    16039204
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
(Ba,Sr,Ca)CuO_2薄膜の構造,電子状態とキャリアドープ機構
(Ba,Sr,Ca)CuO_2薄膜的结构、电子态及载流子掺杂机制
  • 批准号:
    04750009
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
吸着によりひずんだ表面の格子力学と長周期再配列に関する分光学的研究
晶格动力学和吸附扭曲表面长周期重排的光谱研究
  • 批准号:
    03740167
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究:利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
  • 批准号:
    2342747
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Standard Grant
オキシカルコゲナイドの欠陥学理の構築とワイドギャップ半導体の設計・開拓への展開
硫族元素缺陷理论的构建及其在宽禁带半导体设计开发中的发展
  • 批准号:
    24H00376
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
  • 批准号:
    10099437
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    EU-Funded
熱活性化ワイドギャップ半導体シングルナノ粒子による熱触媒機能の開拓
利用热活化宽禁带半导体单纳米粒子开发热催化功能
  • 批准号:
    23K23183
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
RII Track-4:NSF:在单个蓝宝石平台上开发用于集成微波光子学的半导体激光器和无源器件
  • 批准号:
    2327229
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段:用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
  • 批准号:
    2335588
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎:佛罗里达州中部半导体创新引擎
  • 批准号:
    2315320
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了