Wachstum einkristalliner Diamantschichten: Untersuchungen zu Art, Entstehung, Manipulation und Minimierung struktureller + chemischer Defekte

通过微球等离子体的化学气相沉积，使金刚石基体的结构和化学缺陷得以消除。我的中心是一个非常好的防线，就像我们的防线一样。最重要的化学品是硼和粘胶。Ziel ist die Aufklärung von Struktur und Entstehung sowie die Untersuchung von Möglichkeiten zu deren gezielter Manipulation und Vermeidung，um so möglichst Defekt-freie Kristalle abzuscheiden.在金刚石/铱/YSZ/硅韦尔登三元体系的基础上，通过高温-高压合成方法制备单晶均相外延。概念是指，在异质外延大直径金刚石上的同质外延Wachstum韦尔登，在10 cm Si-Scheiben的基础上进行韦尔登的切割，以获得更好的效果。在项目实施过程中，必须有一个明确的工作组，以实现韦尔登的可持续发展。

Untersuchungsobjekt des geplanten Forschungsvorhaben sind die strukturellen und chemischen Defekte, die bei der Mikrowellenplasma-unterstützten chemischen Gasphasenabscheidung von einkristallinen Diamantschichten auftreten. Im Zentrum stehen dabei lineare Defekte wie Versetzungen bzw. die wichtigsten chemischen Verunreinigungen wie Bor und Stickstoff. Ziel ist die Aufklärung von Struktur und Entstehung sowie die Untersuchung von Möglichkeiten zu deren gezielter Manipulation und Vermeidung, um so möglichst Defekt-freie Kristalle abzuscheiden. Neben der Homoepitaxie auf Einkristallen aus der Hochdruck-Hochtemperatur-Synthese sollen Heteroepitaxieschichten auf der Basis des Schichtsystems Diamant/Iridium/YSZ/Silizium präpariert werden. Die Idee ist dabei, die Konzepte, die beim homoepitaktischen Wachstum entwickelt werden, auf das heteroepitaktische Wachstum großflächiger Diamantschichten, wie sie aktuell auf der Basis von 10 cm Si-Scheiben untersucht werden, zu übertragen. Die im Rahmen des Projekts hergestellten Proben sollen darüber hinaus an verschiedene Arbeitsgruppen zur Realisierung von Bauelementen weitergegeben werden.