Wachstum einkristalliner Diamantschichten: Untersuchungen zu Art, Entstehung, Manipulation und Minimierung struktureller + chemischer Defekte

单晶金刚石层的生长：研究结构化学缺陷的类型、形成、操纵和最小化

• 批准号: 58734486
• 负责人: Professor Dr. Bernd Stritzker
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Experimentalphysik IV
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/58734486?language=en
• 关键词: Wachstum; einkristalliner; Diamantschichten; Untersuchungen; zu

Untersuchungsobjekt des geplanten Forschungsvorhaben sind die strukturellen und chemischen Defekte, die bei der Mikrowellenplasma-unterstützten chemischen Gasphasenabscheidung von einkristallinen Diamantschichten auftreten. Im Zentrum stehen dabei lineare Defekte wie Versetzungen bzw. die wichtigsten chemischen Verunreinigungen wie Bor und Stickstoff. Ziel ist die Aufklärung von Struktur und Entstehung sowie die Untersuchung von Möglichkeiten zu deren gezielter Manipulation und Vermeidung, um so möglichst Defekt-freie Kristalle abzuscheiden. Neben der Homoepitaxie auf Einkristallen aus der Hochdruck-Hochtemperatur-Synthese sollen Heteroepitaxieschichten auf der Basis des Schichtsystems Diamant/Iridium/YSZ/Silizium präpariert werden. Die Idee ist dabei, die Konzepte, die beim homoepitaktischen Wachstum entwickelt werden, auf das heteroepitaktische Wachstum großflächiger Diamantschichten, wie sie aktuell auf der Basis von 10 cm Si-Scheiben untersucht werden, zu übertragen. Die im Rahmen des Projekts hergestellten Proben sollen darüber hinaus an verschiedene Arbeitsgruppen zur Realisierung von Bauelementen weitergegeben werden.

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