Wachstum einkristalliner Diamantschichten: Untersuchungen zu Art, Entstehung, Manipulation und Minimierung struktureller + chemischer Defekte

在这种情况下，结构和化学的定义是正确的，这是一种新的化学方法。我是大北线上的一家公司，这是一家专门从事钨化工的企业。这是一种新的操作方式和方式，嗯，就是这样的一种方式。Neben der Homoepetaxie auf Einkristallen Aus der Hochdruck-Hochtematur-Synthes Sollen Heteroepetaxieschichten auf base des Schichtsystem Diamant/Iridium/YSZ/Silizium Präpariert Werden.在此基础上，我们将在10厘米的基础上，以10厘米的价格为基础，为所有的客户提供服务，为客户提供服务。他说：“这是一件非常重要的事情。”

Untersuchungsobjekt des geplanten Forschungsvorhaben sind die strukturellen und chemischen Defekte, die bei der Mikrowellenplasma-unterstützten chemischen Gasphasenabscheidung von einkristallinen Diamantschichten auftreten. Im Zentrum stehen dabei lineare Defekte wie Versetzungen bzw. die wichtigsten chemischen Verunreinigungen wie Bor und Stickstoff. Ziel ist die Aufklärung von Struktur und Entstehung sowie die Untersuchung von Möglichkeiten zu deren gezielter Manipulation und Vermeidung, um so möglichst Defekt-freie Kristalle abzuscheiden. Neben der Homoepitaxie auf Einkristallen aus der Hochdruck-Hochtemperatur-Synthese sollen Heteroepitaxieschichten auf der Basis des Schichtsystems Diamant/Iridium/YSZ/Silizium präpariert werden. Die Idee ist dabei, die Konzepte, die beim homoepitaktischen Wachstum entwickelt werden, auf das heteroepitaktische Wachstum großflächiger Diamantschichten, wie sie aktuell auf der Basis von 10 cm Si-Scheiben untersucht werden, zu übertragen. Die im Rahmen des Projekts hergestellten Proben sollen darüber hinaus an verschiedene Arbeitsgruppen zur Realisierung von Bauelementen weitergegeben werden.