Ion beam synthesis of optically active nanocrystals of II-VI compound-semi-conductors

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Mittels Ionenstrahlsynthese sollen Nanokristalle der II-VI-Verbindungshalbleiter CdSe, CdTe und CdS bzw. ZnSe, ZnTe und ZnS oberflächennah in dielektrischen Matrizen hergestellt und analysiert werden. Diese daraus resultierenden heterogenen Materialsysteme können im Bereich integrierter, optisch aktiver Bauelemente auf Siliziumbasis eingesetzt werden (ELD, Display, Filter, Lichtleiter, Lichtverstärker). Der Einfluß der für Nanokristallite wichtigen Parameter wie Quantenconfinement, Grenzflächenstruktur und Dotierung auf die Lumineszenzeigenschaften soll detailliert an diesen II-VI-Halbleitern mit direkter Bandlücke untersucht werden. Die Ionenstrahlsynthese wird seit vielen Jahren am Lehrstuhl IV erfolgreich erforscht und weiterentwickelt. Im Rahmen dieses Projektes wird die kombinatorische Methode zum ersten Mal auf die Technik der Ionenstrahlsynthese angewandt werden. Dadurch wird bei hohem Probendurchsatz eine systematische Kombination verschiedener Implantationsdosen der den II-VI Verbindungshalbleiter konstituierenden Elemente und Dotanden ermöglicht. Entscheidend für den Erfolg sind die am Lehrstuhl etablierten Analysemethoden wie TEM mit abbildender Energieverlust-Spektroskopie, Röntgenstrukturanalyse, optische Spektroskopie, Rutherford-Backscattering, Channeling und SIMS.