Elastische und anelastische Eigenschaften mullitähnlicher Verbindungen des Types Bi2M4O9

Bi2M4O9 类莫来石化合物的弹性和滞弹性特性

• 批准号: 63464642
• 负责人: Professor Dr. Jürgen Schreuer
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Geologie, Mineralogie und Geophysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2007-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/63464642?language=en
• 关键词: Elastische; und; anelastische; Eigenschaften; mullit

Ziel des Verbundvorhabens ist es, durch Kombination ausgewählter experimenteller Methoden Struktur-Eigenschafts-Korrelationen an mullitähnlichen Verbindungen des Typs Bi2-2xAxM4O9-x (A = Sr2+, M = Al3+, Ga3+, Fe3+) zu studieren und anwendungsrelevante Eigenschaften zu optimieren. Aufgrund der engen Beziehungen zum Bindungssystem eines Kristalls kommt der Elastizität hierbei eine Schlüsselrolle zu. Im Rahmen dieses Projektes wird daher die Elastizität als Sonde verwendet, um in Kooperation mit den Verbundpartnern u.a. zu klären, welche Bedeutung das einsame Elektronenpaar des Bi3+ für die Stabilität der Kristallstruktur hat und welches die Mechanismen der Leitfähigkeit in diesen Materialien sind. Zentrale Untersuchungsmethode ist dabei die Ultraschallresonanzspektroskopie ergänzt durch die dynamische mechanische Analyse. Neben den elastischen Konstanten als Funktion von Temperatur, Frequenz und Chemismus werden insbesondere auch anelastische Relaxationsphänomene mit dem Ziel studiert, quantitative Aussagen über die zugrunde liegenden Defektmechanismen, welche wahrscheinlich mit der Ionenleitung in Zusammenhang stehen, machen zu können.

本文采用结构-本征值-相关性的组合实验方法，对Bi 2 - 2xAxM 4 O 9-x（A = Sr 2+，M = Al 3+，Ga 3+，Fe 3+）型超导体进行了研究，并优化了相关本征值。在弹簧的弹性作用下，一个Kristalls的结合系统的动力学特性得到了提高。在与美国的合作伙伴进行合作时，这些项目将使弹性探测器在探测器上运行。因此，为了提高晶体结构的稳定性，Bi 3+的电子学特性在材料中具有重要的作用。中心探测方法是通过动力学机理分析进行超声共振光谱探测。Neben den elastischen constanten als Funktion von Temperatur，Frequenz und Chemismus韦尔登insbesondere auch anelastische Relaxationsänomene mit dem Ziel studiert，quantitative Aussagen über die zgrunde liegenden Defektmechanismen，welche wahrscheinlich mit der Ionenleitung in Zusammenhang stehen，machen zu können.