ナノサイズ半導体微粒子表面の金属によるパッシベーション効果
金属对纳米半导体颗粒表面的钝化作用
基本信息
- 批准号:08875007
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- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
ナノメータ構造が得られる多孔質シリコンを陽極化製法により形成し、その後多孔質シリコンをメッキ溶液中でメッキするプロセスにより、ナノメータサイズのIV族半導体であるシリコンを金属が覆う構造を作成した。本研究では、メッキ金属としてインジウムを取り上げた。その結果、インジウムはシリコン基板-PSとの界面から、マクロスケールでは一様にメッキされることが、高速イオン散乱分光法により解析の結果判明したため、メッキ法による微細化シリコン膜中への金属の堆積は、スパッタ法等によるによる膜表面への堆積に比べ、膜内部により均一に行なえることが示された。しかし、透過電子顕微鏡観察によるミクロスケールの解析では、メッキされたインジウムは多孔質膜中に粒状に分散して存在し、その粒径は数nmから数百nmに分布していることが明らかとなった。また、その大きさはシリコンの微細化過程に依存し、多孔質中の微細孔の大きさが小さい程メッキされるインジウムの量は少なくなり、陽極化成中に光照射することにより微細孔の大きさを大きくすると、メッキされるインジウムの量は増加し、粒径も大きくなることが判明した。これは、光照射によるエッチングの促進と対応しており、インジウムは大きい微細孔に選択的にメッキされやすいことが示唆される。このようにして得られたインジウムメッキ微細シリコンは、インジウムが多く含まれる領域程自然酸化が明瞭に低減されることが分かった。このことより、インジウム金属による微細構造のキャッピングに基づくパッシベーション効果が存在することが示唆された。
The structure of porous silicon is formed by anodizing, and then porous silicon is formed by anodizing in solution. This study was conducted on the basis of the results of the study. The results of the analysis show that the deposition of metal in the micro-crystalline silicon film is relatively uniform on the surface of the film, and the deposition is relatively uniform on the inside of the film. The particle size distribution in the porous membrane varies from nm to hundreds of nm. It was found that the micro-pore size and particle size of porous materials depended on the micro-miniaturization process, and that the amount of micro-pore size and particle size of porous materials decreased. It was also found that the amount of micro-pore size and particle size increased under light irradiation during anodization. This is the first time that a person has been exposed to light. The natural acidification of the multi-domain process is clearly reduced. This is the first time that the metal has been used as a base material.
项目成果
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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Toshimichi Ito: "Local structure of indium-plated porous silicon" Mater.Res.Soc.Meet.Symp.Proc.452巻(印刷中). (1997)
Toshimichi Ito:“镀铟多孔硅的局部结构”Mater.Res.Soc.Meet.Symp.Proc.452(印刷中)。
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伊藤 利道其他文献
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