高濃度・局所電子ドープによる二次元トンネルトランジスタの高性能化

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本年度は、高濃度ドープを実現しやすい多層TMDCにおいて、異種結晶が同一の面内で接合した構造（面内ヘテロ構造）の作製およびデバイス評価を進めてきた。試料作製に関しては、まず機械的剥離法でTMDCの多層結晶をシリコン基板上に作製した。ここで採用した多層TMDCとして、界面の構造観察用にWSe2、そして電子輸送特性の評価用にNbxMo1-xS2の二種類を用いた。この基板を利用し、化学気相成長でMoS2結晶を成長させることで、多層の面内ヘテロ構造を作製した。作製した試料は、ラマン散乱分光やフォトルミネッセンス分光、原子間力顕微鏡、および電子顕微鏡観を用いて構造を評価した。特に、多層WSe2/MoS2の断面の電子顕微鏡観察からは、WSe2の端から同じ結晶方位を持つMoS2が接合している様子が明瞭に確認された。次に、多層NbxMo1-xS2/MoS2ヘテロ構造を利用し、電子輸送特性の評価を行った。ここで、NbxMo1-xS2は高濃度にホールを含むp型半導体、MoS2は高濃度に電子を含むn型半導体としての役割を持つ。シリコン基板上のNbxMo1-xS2/MoS2に電極を付け、MoS2については、シリコン基板表面のSiO2酸化膜を介してゲート電圧を印加することで、電子濃度を増加させた。実際に、50K以下の低温においてゲート電圧を印加したとき、負性微分抵抗の傾向（NDR trend）を持つ電流-電圧特性が得られた。このNDR trendによって、界面においてトンネル電流が流れていることを実証できた。以上の結果は、超低消費電力トンネルトランジスタの応用に向けた重要な指針となる。