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高濃度ドープによる面内ヘテロ型二次元トンネルトランジスタの開発

高濃度ドープによる面内ヘテロ型二次元トンネルトランジスタの開発
高浓度掺杂面内异质二维隧道晶体管的研制
批准号：
23K19193
负责人：
小倉 宏斗
金额：
$1.83万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-08-31 至 2025-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K19193/
关键词：
遷移金属ダイカルコゲナイドトンネルトランジスタヘテロ接合

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二次元半導体のヘテロ接合を用いた高性能P型トンネルトランジスタの開発
  • 批准号：
    24K17584
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $3.0万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    小倉 宏斗
  • 依托单位：
    Tohoku University
高濃度・局所電子ドープによる二次元トンネルトランジスタの高性能化
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