课题基金 / 基金详情

Growth of high quality SiC crystal based on in-situ observation of growth interface and theoretical study

Growth of high quality SiC crystal based on in-situ observation of growth interface and theoretical study
基于生长界面原位观察及理论研究的高质量SiC晶体生长
批准号：
26820334
负责人：
Kawanishi Sakiko
金额：
$2.5万
依托单位：
Tohoku University (2015)The University of Tokyo (2014)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26820334/
关键词：
シリコンカーバイド溶液成長In-situ観察第一原理計算

项目摘要

项目成果

Kawanishi Sakiko的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
In-situ Observation of SiC from Fe-Si-C Solution
Fe-Si-C 溶液中 SiC 的原位观察
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [齋藤悠介, 関本英弘, 山口勉功, Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa, Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa]
通讯作者： Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa
In-situ observation of solution growth interface of SiC from Fe-Si solvent
Fe-Si 溶剂中 SiC 溶液生长界面的原位观察
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [川西咲子, 吉川健, Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa]
通讯作者： Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa
New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC
  • 批准号：
    18K18934
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额：
    $3.99万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    Kawanishi Sakiko
  • 依托单位：
    Tohoku University
Growth of inclusion-free SiC by in-situ interface observation and thermophysical property measurements
  • 批准号：
    17H04960
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $15.56万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Kawanishi Sakiko
  • 依托单位：
    Tohoku University
Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent
  • 批准号：
    16K14445
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.33万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Kawanishi Sakiko
  • 依托单位：
    Tohoku University
海外基金