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Growth of inclusion-free SiC by in-situ interface observation and thermophysical property measurements

Growth of inclusion-free SiC by in-situ interface observation and thermophysical property measurements
通过原位界面观察和热物性测量无夹杂物SiC的生长
批准号：
17H04960
负责人：
Kawanishi Sakiko
金额：
$15.56万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H04960/
关键词：
シリコンカーバイド溶液成長高温物性値その場観察In-situ観察熱物性物性値熱流動予測結晶成長熱伝導率溶液成長法

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Effect of thermophysical properties of Si-based solution on SiC solution growth process
硅基溶液热物性对SiC溶液生长过程的影响
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [川西咲子, 渡邉遼, 柴田浩幸, Sakiko Kawanishi]
通讯作者： Sakiko Kawanishi
溶融Fe-Si合金の熱伝導率の計測
熔融铁硅合金热导率的测量
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [阿部舞, 川西咲子, 柴田浩幸]
通讯作者： 柴田浩幸
Effect of Thermal Conductivity of Solvent on Heat Flow during Solution Growth of SiC
溶剂热导率对SiC溶液生长热流的影响
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Mai Abe, Sakiko Kawanishi and Hiroyuki Shibata]
通讯作者： Sakiko Kawanishi and Hiroyuki Shibata
New Methodologies to Evaluate the Step-bunching of 4H-SiC in Different Alloy Solvents
评估 4H-SiC 在不同合金溶剂中的阶梯聚束的新方法
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Yuchuang Yao, Sakiko Kawanishi, Didier Chaussende, Takumi Horiike and Takeshi Yoshikawa]
通讯作者： Takumi Horiike and Takeshi Yoshikawa
共 14 条
    New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC
    • 批准号：
      18K18934
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Kawanishi Sakiko
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent
    • 批准号：
      16K14445
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Kawanishi Sakiko
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Growth of high quality SiC crystal based on in-situ observation of growth interface and theoretical study
    海外基金