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New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC

新缺陷工程；

基本信息

批准号：
18K18934
负责人：
Kawanishi Sakiko
金额：
$ 3.99万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-06-29 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（13）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

高温固液界面の3次元形状解析による融体中微量溶解度の測定

高温固液界面三维形状分析测量熔体微溶解度

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
川西咲子;吉川健;Didier Chaussende;柴田浩幸
通讯作者：
柴田浩幸

StonyBrook University(米国)

石溪大学（美国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Measurement of thermophysical properties of molten Si-Cr and Si-Fe alloys for design of solution growth of SiC

测量熔融 Si-Cr 和 Si-Fe 合金的热物理性质，以设计 SiC 的固溶生长

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125658
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
S. Kawanishi;M. Abe;C. Koyama;T. Ishikawa;H. Shibata
通讯作者：
H. Shibata

An approach for solubility measurement of SiC in molten silicon and its alloy by real-time interference observation

实时干涉观测测量硅及其合金熔体中SiC溶解度的方法

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sakiko Kawanishi;Takeshi Yoshikawa;Didier Chaussende and Hiroyuki Shibata
通讯作者：
Didier Chaussende and Hiroyuki Shibata

Solution growth of SiC crystals: in-situ observation of competition of domains

SiC 晶体的溶液生长：域竞争的原位观察

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hirofumi Oka;Keiichi Katoh;Masahiro Yamashita;Tomoteru Fukumura;増野敦信，三浦吉幸，兼平憲男，岡本芳浩，簗場豊，井上博之;鈴木晧生，屋代如月，内藤圭史;Sakiko Kawanishi
通讯作者：
Sakiko Kawanishi

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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Kawanishi Sakiko其他文献

Al-Mg-Si合金におけるβ’’相／母相の整合および非整合界面構造の解析

Al-Mg-Si合金中β相/基体相共格和非共格界面结构分析

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ruan Fang;Kawanishi Sakiko;Sukenaga Sohei;Shibata Hiroyuki;栗原健輔，芹澤愛
通讯作者：
栗原健輔，芹澤愛

Inhibitory Effect of MgO, FeO, CaF2, and Al2O3 Additives on the Dissolution Behavior of Ca from Silicate Mineral Phases into Water

MgO、FeO、CaF2 和 Al2O3 添加剂对硅酸盐矿物相中 Ca 溶解到水中的抑制作用

DOI：
10.1007/s11663-021-02376-3
发表时间：
2021
期刊：
Metallurgical and Materials Transactions B
影响因子：
0
作者：
Ruan Fang;Kawanishi Sakiko;Sukenaga Sohei;Shibata Hiroyuki
通讯作者：
Shibata Hiroyuki

n-type electrical conduction in SnS thin films

SnS 薄膜中的 n 型导电

DOI：
10.1103/physrevmaterials.5.125405
发表时间：
2021
期刊：
Physical Review Materials
影响因子：
3.4
作者：
Suzuki Issei;Kawanishi Sakiko;Bauers Sage R.;Zakutayev Andriy;Lin Zexin;Tsukuda Satoshi;Shibata Hiroyuki;Kim Minseok;Yanagi Hiroshi;Omata Takahisa
通讯作者：
Omata Takahisa

ウクライナを知るための65章

了解乌克兰的 65 章

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Suzuki Issei;Kawanishi Sakiko;Bauers Sage R.;Zakutayev Andriy;Lin Zexin;Tsukuda Satoshi;Shibata Hiroyuki;Kim Minseok;Yanagi Hiroshi;Omata Takahisa;船木由喜彦;松里公孝（服部倫卓ほか編）
通讯作者：
松里公孝（服部倫卓ほか編）

Direct evaluation of hole effective mass of SnS?SnSe solid solutions with ARPES measurement

ARPES测量直接评价SnS?SnSe固溶体的孔有效质量

DOI：
10.1039/d1cp04553a
发表时间：
2022
期刊：
Physical Chemistry Chemical Physics
影响因子：
3.3
作者：
Suzuki Issei;Lin Zexin;Kawanishi Sakiko;Tanaka Kiyohisa;Nose Yoshitaro;Omata Takahisa;Tanaka Shin-Ichiro
通讯作者：
Tanaka Shin-Ichiro