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New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC

New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC
新缺陷工程；
批准号：
18K18934
负责人：
Kawanishi Sakiko
金额：
$3.99万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-06-29 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K18934/
关键词：
シリコンカーバイド溶液成長核生成欠陥半導体炭化ケイ素SiCDPBらせん転位

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StonyBrook University(米国)
石溪大学（美国）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
高温固液界面の3次元形状解析による融体中微量溶解度の測定
高温固液界面三维形状分析测量熔体微溶解度
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 柴田浩幸
Measurement of thermophysical properties of molten Si-Cr and Si-Fe alloys for design of solution growth of SiC
测量熔融 Si-Cr 和 Si-Fe 合金的热物理性质，以设计 SiC 的固溶生长
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2020.125658
发表时间： 2020
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [S. Kawanishi, M. Abe, C. Koyama, T. Ishikawa, H. Shibata]
通讯作者： H. Shibata
An approach for solubility measurement of SiC in molten silicon and its alloy by real-time interference observation
实时干涉观测测量硅及其合金熔体中SiC溶解度的方法
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Didier Chaussende and Hiroyuki Shibata]
通讯作者： Didier Chaussende and Hiroyuki Shibata
共 13 条
    Growth of inclusion-free SiC by in-situ interface observation and thermophysical property measurements
    • 批准号：
      17H04960
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $15.56万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Kawanishi Sakiko
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent
    • 批准号：
      16K14445
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Kawanishi Sakiko
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Growth of high quality SiC crystal based on in-situ observation of growth interface and theoretical study
    海外基金