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Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent
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基本信息
- 批准号：16K14445
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Real-time Observation of Solution Growth Interface of SiC Using Alloy Solvent
使用合金溶剂实时观察 SiC 溶液生长界面
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Sakiko Kawanishi;Takeshi Yoshikawa;Kazuki Morita
- 通讯作者：Kazuki Morita
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Kawanishi Sakiko其他文献
Nucleation Control of 3C-SiC Induced by the Spiral Structure of 6H-SiC
6H-SiC螺旋结构诱导3C-SiC成核控制
- DOI：
10.1021/acs.cgd.0c00498 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：3.8
- 作者：
Kawanishi Sakiko;Watanabe Ryo;Shibata Hiroyuki - 通讯作者：
Shibata Hiroyuki
Al-Mg-Si合金におけるβ’’相／母相の整合および非整合界面構造の解析
Al-Mg-Si合金中β相/基体相共格和非共格界面结构分析
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ruan Fang;Kawanishi Sakiko;Sukenaga Sohei;Shibata Hiroyuki;栗原健輔，芹澤愛 - 通讯作者：
栗原健輔，芹澤愛
Inhibitory Effect of MgO, FeO, CaF2, and Al2O3 Additives on the Dissolution Behavior of Ca from Silicate Mineral Phases into Water
MgO、FeO、CaF2 和 Al2O3 添加剂对硅酸盐矿物相中 Ca 溶解到水中的抑制作用
- DOI：
10.1007/s11663-021-02376-3 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ruan Fang;Kawanishi Sakiko;Sukenaga Sohei;Shibata Hiroyuki - 通讯作者：
Shibata Hiroyuki
n-type electrical conduction in SnS thin films
SnS 薄膜中的 n 型导电
- DOI：
10.1103/physrevmaterials.5.125405 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：3.4
- 作者：
Suzuki Issei;Kawanishi Sakiko;Bauers Sage R.;Zakutayev Andriy;Lin Zexin;Tsukuda Satoshi;Shibata Hiroyuki;Kim Minseok;Yanagi Hiroshi;Omata Takahisa - 通讯作者：
Omata Takahisa
ウクライナを知るための65章
了解乌克兰的 65 章
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suzuki Issei;Kawanishi Sakiko;Bauers Sage R.;Zakutayev Andriy;Lin Zexin;Tsukuda Satoshi;Shibata Hiroyuki;Kim Minseok;Yanagi Hiroshi;Omata Takahisa;船木由喜彦;松里公孝（服部倫卓ほか編） - 通讯作者：
松里公孝（服部倫卓ほか編）
Kawanishi Sakiko的其他文献
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{{ truncateString('Kawanishi Sakiko', 18)}}的其他基金
New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC
新缺陷工程；
- 批准号：
18K18934 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Growth of inclusion-free SiC by in-situ interface observation and thermophysical property measurements
通过原位界面观察和热物性测量无夹杂物SiC的生长
- 批准号：
17H04960 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Growth of high quality SiC crystal based on in-situ observation of growth interface and theoretical study
基于生长界面原位观察及理论研究的高质量SiC晶体生长
- 批准号：
26820334 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス
高温溶液生长的 3DxT 成像和相场分析
- 批准号：
24H00384 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Relationship between solvation structure and crystal perfection at the molecular level for solution growth
溶液生长的分子水平上溶剂化结构与晶体完美度之间的关系
- 批准号：
21K04902 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Relationship between 2D-nucleation and long crystal growth in solution growth of SiC without molten silicon.
无熔融硅溶液生长 SiC 时二维成核与长晶体生长之间的关系。
- 批准号：
20H02637 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Solution growth of SiC by improved TSSG technique from metal solvent using SiC ceramics
使用 SiC 陶瓷通过改进的 TSSG 技术从金属溶剂中溶液生长 SiC
- 批准号：
16K04947 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超高品質ＳｉＣの実現を目指した溶液成長界面のＩｎ－ｓｉｔｕ観察と原子分解能解析
溶液生长界面的原位观察和原子分辨率分析旨在实现超高质量 SiC
- 批准号：
15J11838 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Clarification of step structure formation on the solution growth interface of SiC by direct interface observation and molecular dynamics simulation
通过直接界面观察和分子动力学模拟阐明 SiC 溶液生长界面上阶梯结构的形成
- 批准号：
15H04166 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low temperature solution growth of high quality AlN single crystal using Cr-alloy solvent
Cr合金溶剂低温溶液生长高质量AlN单晶
- 批准号：
26630376 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Determination of dynamics of SiC solution growth by real-time observation of growth interface
通过实时观察生长界面确定 SiC 溶液生长动力学
- 批准号：
24686083 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
溶液成長法によるSiC結晶の欠陥自己修復メカニズムの解明
溶液生长法阐明SiC晶体缺陷自修复机制
- 批准号：
23860025 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Ｆｅ－Ｓｉ合金溶媒を用いたｎ型、ｐ型ＳｉＣ単結晶の革新的高速溶液成長法の物理化学
使用 Fe-Si 合金溶剂的 n 型和 p 型 SiC 单晶创新高速溶液生长方法的物理化学
- 批准号：
11J10842 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows