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Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent

Rapid solution growth of SiC using 100% Cr solvent
Rapid%20solution%20growth%20of%20SiC%20using%20100%%20Cr%20溶剂
批准号:
16K14445
负责人:
Kawanishi Sakiko
金额:
$2.33万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2018-03-31

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Real-time Observation of Solution Growth Interface of SiC Using Alloy Solvent
使用合金溶剂实时观察 SiC 溶液生长界面
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita]
通讯作者: Kazuki Morita
New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC
  • 批准号:
    18K18934
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额:
    $3.99万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Kawanishi Sakiko
  • 依托单位:
Growth of inclusion-free SiC by in-situ interface observation and thermophysical property measurements
  • 批准号:
    17H04960
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $15.56万
  • 财政年份:
    2017
  • 负责人:
    Kawanishi Sakiko
  • 依托单位:
Growth of high quality SiC crystal based on in-situ observation of growth interface and theoretical study
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