Theoretical Design of Slurry for Chemical Mechanical Polishing by Computational Simulation
Theoretical Design of Slurry for Chemical Mechanical Polishing by Computational Simulation
化学机械抛光浆料的计算模拟理论设计
批准号：
26820029
负责人：
Nobuki Ozawa
金额：
$2.25万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
分子動力学法による使用済みガラス研磨用セリア砥粒の再生シミュレーション
分子动力学法模拟玻璃抛光用过的二氧化铈磨粒的再生
分子动力学法模拟玻璃抛光用过的二氧化铈磨粒的再生
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾澤伸樹, 周康, 河口健太郎, 樋口祐次, 久保百司]
通讯作者：
久保百司
First-principles Calculations of High Efficiency Abrasive Grain for GaN Chemical Mechanical Polishing
GaN化学机械抛光高效磨粒的第一性原理计算
GaN化学机械抛光高效磨粒的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Wenting Gu, Ryosuke Nishikubo, and Akinori Saeki, Takuya Igarashi]
通讯作者：
Takuya Igarashi
計算科学手法を用いた GaN CMP における砥粒-基板間の化学反応機構の検討
使用计算科学方法研究 GaN CMP 中磨粒与衬底之间的化学反应机理
使用计算科学方法研究 GaN CMP 中磨粒与衬底之间的化学反应机理
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Aritra Sarkar, A. Nagesha, P. Parameswaran, R. Sandhya, K. Laha and M. Okazaki, Tomokazu Iyoda, 五十嵐拓]
通讯作者：
五十嵐拓
量子分子動力学シミュレーションによる単結晶ダイヤモンド基板研磨プロセスの検討
利用量子分子动力学模拟研究单晶金刚石基片抛光过程
利用量子分子动力学模拟研究单晶金刚石基片抛光过程
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河口健太郎, 樋口祐次, 尾澤伸樹, 久保百司]
通讯作者：
久保百司
Atomic-Scale Removal Mechanisms during Chemical Mechanical Polishing of Gallium Nitride Assisted by OH Radicals: Computational Chemistry Approach
OH自由基辅助氮化镓化学机械抛光过程中的原子尺度去除机制：计算化学方法
OH自由基辅助氮化镓化学机械抛光过程中的原子尺度去除机制：计算化学方法
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kentaro Kawaguchi, Yuji Higuchi, Nobuki Ozawa, and Momoji Kubo]
通讯作者：
and Momoji Kubo
共 12 条
海外基金