In-situ observation of the graphene through the thermal decomposition of silicon carbide by shcrotron surface x-ray difraction

通过加速器表面X射线衍射对碳化硅热分解石墨烯进行原位观察

基本信息

  • 批准号:
    26790045
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Development of the compact furnace for the in-situ observation under ultra-high temperature by synchrotron x-ray surface diffraction
同步加速器X射线表面衍射超高温原位观测紧凑型炉的研制
  • DOI:
    10.4028/www.scientific.net/msf.858.505
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Yoshida;Y. Kutsuma;D. Dohjima;K. Ohwadad,T.Inami;N. Ohtani;T. Kaneko and J. Mizuki
  • 通讯作者:
    T. Kaneko and J. Mizuki
Development of in-situ observation method of the graphene growth by sychrotron x-ray surface diffraction
同步加速器X射线表面衍射原位观察石墨烯生长方法的发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Yoshida;F. Kawabe;Y. Kutsuma;D. Dohjima;H. Shigemasa;K. Ohwada;N. Tamai;N. Ohtani;T. Kaneko and J. Mizuki
  • 通讯作者:
    T. Kaneko and J. Mizuki
In-situ observation of the SiC surface during thermal decomposition by synchrotron x-ray surface diffraction
利用同步加速器X射线表面衍射原位观察SiC表面热分解过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masahiro Yoshida;Yasunori Kutsuma;Daichi Dohjima;Kenji Ohwada;Toshiya Inami;Noboru Ohtani;Tadaaki Kaneko and Jun’ichiro Mizuki
  • 通讯作者:
    Tadaaki Kaneko and Jun’ichiro Mizuki
放射光X線回折によるSiC熱分解表面のその場観察法の開発
同步辐射X射线衍射原位观察SiC热解表面方法的发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉田雅洋;河邉文哉;久津間保徳;堂島大地;重政英史;大和田謙二;稲見俊哉;玉井尚登;大谷昇;金子忠昭;水木純一郎
  • 通讯作者:
    水木純一郎
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

YOSHIDA MASAHIRO其他文献

YOSHIDA MASAHIRO的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('YOSHIDA MASAHIRO', 18)}}的其他基金

Establishment of rehabilitation that improve the muscle activity during sports movement using sound stimulation feedback
建立利用声音刺激反馈改善运动过程中肌肉活动的康复方法
  • 批准号:
    16K16562
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Development of cascade cyclization reaction via the direct activation of propargylalcohols
通过直接活化炔丙醇开发级联环化反应
  • 批准号:
    26460009
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Synthesis of highly functionalized biologically active molecules utilizing a cascade cyclization of propargylic esters
利用炔丙酯的级联环化合成高度功能化的生物活性分子
  • 批准号:
    24790013
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

フェムト秒レーザー改質による透明高分子材料内部への三次元炭素構造の作製とその応用
飞秒激光改性透明高分子材料内三维碳结构及其应用
  • 批准号:
    22KJ2678
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
通过等离子体辅助退火在平坦的 SiC(0001) 表面上形成低缺陷密度石墨烯
  • 批准号:
    15H03902
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Current control of graphene channel transistors using semiconductor contacts
使用半导体接触的石墨烯沟道晶体管的电流控制
  • 批准号:
    24656204
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms
表面硅原子优先蚀刻辅助超平坦碳化硅表面石墨烯生长
  • 批准号:
    24656101
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Creation of single-crystal graphene substrate through surface structure control on a wafer scale
通过晶圆级表面结构控制创建单晶石墨烯基底
  • 批准号:
    21246006
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了