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Control of thin-film transistor characteristics using amorphous oxide semiconductors of simple composition

Control of thin-film transistor characteristics using amorphous oxide semiconductors of simple composition
使用简单组成的非晶氧化物半导体控制薄膜晶体管特性
批准号：
26790051
负责人：
AIKAWA SHINYA
金额：
$2.66万
依托单位：
Kogakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26790051/
关键词：
薄膜トランジスタ酸化物半導体表面・界面物性半導体物性ディスプレイ応用電子デバイスディスプレイ

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DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyo, A. Ogura]
通讯作者： A. Ogura
Reduction of the interfacial trap density of indium-oxide thin film transistors by incorporation of hafnium and annealing process
DOI： 10.1063/1.4905903
发表时间： 2015-01
期刊： AIP Advances
影响因子： 1.6
作者： [Meng-Fang Lin;Xu Gao;N. Mitoma;Takio Kizu;Wei Ou-Yang;S. Aikawa;T. Nabatame;K. Tsukagoshi]
通讯作者： Meng-Fang Lin;Xu Gao;N. Mitoma;Takio Kizu;Wei Ou-Yang;S. Aikawa;T. Nabatame;K. Tsukagoshi
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发表时间： 2015
期刊： J. Vac. Sci. Technol., A
影响因子： --
作者： [K. Kurishima, T. Nabatame, M. Shimizu, N. Mitoma, T. Kizu, S. Aikawa, K. Tsukagoshi, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura]
通讯作者： A. Ogura
Low-temperature Processable Amorphous In-W-O Thin-film Transistors
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Kizu, S. Aikawa, N. Mitoma, M. Shimizu, X. Gao, M-F. Lin, T. Nabatame, K. Tsukagoshi]
通讯作者： K. Tsukagoshi
共 18 条
    Development of extremely flexible and transparent carbon nanotube devices
    • 批准号：
      24860018
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.91万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      AIKAWA SHINYA
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    海外基金