Control of thin-film transistor characteristics using amorphous oxide semiconductors of simple composition

使用简单组成的非晶氧化物半导体控制薄膜晶体管特性

• 批准号: 26790051
• 负责人: AIKAWA SHINYA
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Kogakuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26790051/
• 关键词: 薄膜トランジスタ; 酸化物半導体; 表面・界面物性; 半導体物性; ディスプレイ応用; 電子デバイス; ディスプレイ

项目成果

Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method

PE-ALD 法对 Al2O3 栅绝缘体 IGZO TFT 电性能的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: K. Kurishima;T. Nabatame;M. Shimizu;S. Aikawa;K. Tsukagoshi;A. Ohi;T. Chikyo;A. Ogura
• 通讯作者: A. Ogura

Reduction of the interfacial trap density of indium-oxide thin film transistors by incorporation of hafnium and annealing process

• DOI: 10.1063/1.4905903
• 发表时间: 2015-01
• 期刊: AIP Advances
• 影响因子: 1.6
• 作者: Meng-Fang Lin;Xu Gao;N. Mitoma;Takio Kizu;Wei Ou-Yang;S. Aikawa;T. Nabatame;K. Tsukagoshi

Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors

Al2O3层插入对Ga-In-Zn-O薄膜晶体管电性能的影响

• DOI: 10.1116/1.4928763
• 发表时间: 2015
• 期刊: J. Vac. Sci. Technol., A
• 作者: K. Kurishima;T. Nabatame;M. Shimizu;N. Mitoma;T. Kizu;S. Aikawa;K. Tsukagoshi;A. Ohi;T. Chikyow;A. Ogura
• 通讯作者: A. Ogura

Low-temperature Processable Amorphous In-W-O Thin-film Transistors

可低温加工的非晶In-W-O薄膜晶体管

• 发表时间: 2015
• 作者: T. Kizu;S. Aikawa;N. Mitoma;M. Shimizu;X. Gao;M-F. Lin;T. Nabatame;K. Tsukagoshi
• 通讯作者: K. Tsukagoshi

Dopant selection for control of charge carrier density and mobility in amorphous indium oxide thin-film transistors: Comparison between Si- and W-dopants

• DOI: 10.1063/1.4907285
• 发表时间: 2015-01-26
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Mitoma, Nobuhiko;Aikawa, Shinya;Tsukagoshi, Kazuhito
• 通讯作者: Tsukagoshi, Kazuhito