Study on fabrication of next-generation CZTSSe thin film solar cells using abundant elements in resources

利用资源丰富元素制备下一代CZTSSe薄膜太阳能电池的研究

基本信息

  • 批准号:
    26420888
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
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科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
化合物プリカーサを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製
化合物前驱体硒化法制备Cu2ZnSnSe4薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mitsuki Nakashima;Toshiyuki Yamaguchi;Kengo Kusumoto;Shohei Yukawa;Junji Sasano and Masanobu Izaki;湯川翔平,楠本健悟,中嶋崇喜,山口利幸
  • 通讯作者:
    湯川翔平,楠本健悟,中嶋崇喜,山口利幸
CZTSe化合物へのS添加によるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池の作製
CZTSe化合物中添加S制备Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Yamaguchi;M. Nakashima;T. Sakamoto;中嶋崇喜,山田竜也,山口利幸;山田竜也,中嶋崇喜,山口利幸,伊崎昌伸;桝田大樹,中嶋崇喜,山口利幸
  • 通讯作者:
    桝田大樹,中嶋崇喜,山口利幸
Cu2ZnSnSe4化合物を用いた蒸着法によるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池の作製
Cu2ZnSnSe4化合物气相沉积法制备Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Yamaguchi;M. Nakashima;T. Sakamoto;中嶋崇喜,山田竜也,山口利幸;山田竜也,中嶋崇喜,山口利幸,伊崎昌伸;桝田大樹,中嶋崇喜,山口利幸;中嶋崇喜,湯川翔平,山口利幸;中嶋崇喜,坂本竜也,山口利幸
  • 通讯作者:
    中嶋崇喜,坂本竜也,山口利幸
Cu2ZnSn(S,Se)4 Thin Films Fabricated by Sequential Evaporation using Cu2ZnSnSe4 Compound and Their Photovoltaic Applications
Cu2ZnSnSe4 化合物顺序蒸发制备 Cu2ZnSn(S,Se)4 薄膜及其光伏应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Yamaguchi;M. Nakashima;T. Sakamoto
  • 通讯作者:
    T. Sakamoto
化合物を用いた連続蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜へのNaF添加
利用化合物连续蒸发法将NaF添加到Cu2ZnSnSe4薄膜中
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Yamaguchi;M. Nakashima;T. Sakamoto;中嶋崇喜,山田竜也,山口利幸
  • 通讯作者:
    中嶋崇喜,山田竜也,山口利幸
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  • 资助金额:
    $ 3.24万
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    1999
  • 资助金额:
    $ 3.24万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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    1997
  • 资助金额:
    $ 3.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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  • 财政年份:
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知道了