Study on fabrication of next-generation security and reliable environmental-friendly chalcogenide thin film solar cells

下一代安全可靠环保硫系薄膜太阳能电池制备研究

基本信息

  • 批准号:
    17K07036
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
硫化・セレン化法によるCZTSSe薄膜太陽電池の作製
硫化/硒化法制备CZTSSe薄膜太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永尾碧;中嶋崇喜;山口利幸;片桐裕則,荒木秀明,神保和夫,笹野順司;伊崎昌伸
  • 通讯作者:
    伊崎昌伸
AgドープCTSeプリカーサの硫化による太陽電池の作製
通过掺银 CTSe 前驱体的硫化制造太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    薬師悠一郎,中嶋崇喜;山口利幸;荒木秀明;片桐裕則;笹野順司;伊崎昌伸
  • 通讯作者:
    伊崎昌伸
硫化法によるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池作製におけるプリカーサ構造の影響
硫化法制备Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池前驱体结构的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小川裕也;中嶋崇喜;山口利幸;笹野順司;伊崎昌伸
  • 通讯作者:
    伊崎昌伸
Cu2ZnSnSe4化合物プリカーサの硫化法によるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜の結晶化過程
Cu2ZnSnSe4化合物前驱体硫化法制备Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜的结晶过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中嶋崇喜,上西一熙,山口利幸;笹野順司;伊崎昌伸
  • 通讯作者:
    伊崎昌伸
化合物を出発材料に用いた熱処理法によるCu2ZnSnSe4薄膜太陽電池の作製
以化合物为起始材料通过热处理制备 Cu2ZnSnSe4 薄膜太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中強士;中嶋崇喜;山口利幸;笹野順司;伊崎昌伸
  • 通讯作者:
    伊崎昌伸
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  • 资助金额:
    $ 3万
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    11691172
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    1999
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    09680486
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    1997
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    2023
  • 资助金额:
    $ 3万
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    2023
  • 资助金额:
    $ 3万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    22K20355
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
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  • 批准号:
    21K05264
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    21H04121
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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    21K14668
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 3万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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知道了