Development of the power supply with high-speed switching by wide band-gap semiconductor

宽带隙半导体高速开关电源的研制

• 批准号: 26420246
• 负责人: SATOH Nobuo
• 金额: $ 3.24万
• 依托单位: Chiba Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420246/
• 关键词: パワー半導体デバイス; 電力変換回路; フライバックコンバータ; 高周波スイッチング; 高速スイッチング; 高周波駆動; パワーデバイス

项目成果

Scanning near-field optical microscopy system based on frequency-modulation atomic force microscopy using a piezoelectric cantilever

基于压电悬臂梁调频原子力显微镜的扫描近场光学显微镜系统

• DOI: 10.7567/jjap.53.125201
• 发表时间: 2014
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: N. Satoh;K. Kobayashi;S. Watanabe;T. Fujii;K. Matsushige;H. Yamada
• 通讯作者: H. Yamada

Surface Potential Investigation of Fullerene Derivative Film on Platinum Electrode under UV Irradiation by Kelvin Probe Force Microscopy Using a Piezoelectric Cantilever

• DOI: 10.1380/ejssnt.2015.102
• 发表时间: 2015-03
• 期刊: E-journal of Surface Science and Nanotechnology
• 影响因子: 0.7
• 作者: N. Satoh;S. Katori;K. Kobayashi;S. Watanabe;T. Fujii;K. Matsushige;Hirofumi Yamada

A flyback converter using power MOSFET to achieve high frequency operation beyond 13.56 MHz

• DOI: 10.1109/iecon.2015.7392292
• 发表时间: 2015-11
• 期刊: IECON 2015 - 41st Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society
• 作者: N. Satoh;H. Otake;Takashi Nakamura;T. Hikihara

Surface Potential and Topography Measurements of Gallium Nitride on Sapphire by Scanning Probe Microscopy

通过扫描探针显微镜测量蓝宝石上氮化镓的表面电位和形貌

• DOI: 10.1541/ieejsmas.136.96
• 发表时间: 2016
• 期刊: IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines
• 作者: 潤間 威史;佐藤 宣夫;石川 博康
• 通讯作者: 石川 博康

Twin-probe Atomic Force Microscopy with Optical Beam Deflection using Vertically Incident Lasers by Two Beam Splitter

使用两个分束器垂直入射激光进行光束偏转的双探针原子力显微镜

• DOI: 10.1541/ieejsmas.135.135
• 发表时间: 2015
• 期刊: IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines
• 作者: 佐藤 宣夫;常見 英加;小林 圭;小松原 隆司;樋口 誠司;松重 和美;山田 啓文
• 通讯作者: 山田 啓文