Photogalvanic effects in semiconductor quantum structure
Photogalvanic effects in semiconductor quantum structure
半导体量子结构中的光电效应
批准号：
26420288
负责人：
Kawazu Takuya
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy
液滴外延生长的 GaAs 中 GaSb II 型量子点的光致发光光谱的激发功率依赖性
液滴外延生长的 GaAs 中 GaSb II 型量子点的光致发光光谱的激发功率依赖性
DOI：
10.1063/1.4947464
发表时间：
2016
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma and H. Sakaki]
通讯作者：
Y. Sakuma and H. Sakaki
ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAs(001) ヘテロ接合チャネルの面内電流生成
肖特基势垒栅光照射在 n-AlGaAs/GaAs(001) 异质结沟道中产生面内电流
肖特基势垒栅光照射在 n-AlGaAs/GaAs(001) 异质结沟道中产生面内电流
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之]
通讯作者：
榊 裕之
DOI：
10.7567/jjap.54.04dh01
发表时间：
2015-01
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[T. Kawazu;Takeshi Noda;T. Mano;Y. Sakuma;H. Sakaki]
通讯作者：
T. Kawazu;Takeshi Noda;T. Mano;Y. Sakuma;H. Sakaki
Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination
通过肖特基势垒栅照明在 n-AlGaAs/GaAs 异质结通道中产生横向电流
通过肖特基势垒栅照明在 n-AlGaAs/GaAs 异质结通道中产生横向电流
DOI：
10.1063/1.4905661
发表时间：
2015
期刊：
Appl. Phys. Lett.
影响因子：
--
作者：
[T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma, and H. Sakaki]
通讯作者：
and H. Sakaki
GaSb/GaAs量子ドットの光学異方性における後熱処理の効果
后热处理对GaSb/GaAs量子点光学各向异性的影响
后热处理对GaSb/GaAs量子点光学各向异性的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Yamada, J. Ito, R. Asahara, K. Watanabe, M. Nozaki, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, 川津 琢也，野田武司，佐久間芳樹，榊 裕之]
通讯作者：
川津 琢也，野田武司，佐久間芳樹，榊 裕之
共 16 条
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