Development of industrial growth technique for large crystals of incongruent melting compounds

不同成分熔融化合物大晶体工业生长技术的开发

基本信息

  • 批准号:
    26410236
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Xeランプ加熱式IR-FZ法によるPr添加Lu3Al5O12単結晶の育成条件の探索
Xe灯加热IR-FZ法镨掺杂Lu3Al5O12单晶生长条件探讨
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松家康平;ホサイン・エムディ―・ムクタール,長尾雅則;綿打敏司;田中功;黒澤俊介;横田有為;吉川彰
  • 通讯作者:
    吉川彰
浮遊帯溶融法による分解溶融化合物(Gd1-xCex)2Si2O7単結晶の育成
浮区熔法生长分解熔融化合物(Gd1-xCex)2Si2O7单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Miyauchi;K. Osako;K. Matsuzaki;T. Susaki;A. Yamaguchi;H. Hosono;児島千恵;松家康平,長尾雅則,綿打敏司,田中 功
  • 通讯作者:
    松家康平,長尾雅則,綿打敏司,田中 功
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.1
  • 作者:
    MARUYAMA Yuki;NAGAO Masanori;WATAUCHI Satoshi;TANAKA Isao
  • 通讯作者:
    TANAKA Isao

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    $ 2.91万
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    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

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