Development of industrial growth technique for large crystals of incongruent melting compounds
Development of industrial growth technique for large crystals of incongruent melting compounds
批准号:
26410236
负责人:
WATAUCHI Satoshi
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-01 至 2017-03-31
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Xeランプ加熱式IR-FZ法によるPr添加Lu3Al5O12単結晶の育成条件の探索
Xe灯加热IR-FZ法镨掺杂Lu3Al5O12单晶生长条件探讨
DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松家康平, ホサイン・エムディ―・ムクタール,長尾雅則, 綿打敏司, 田中功, 黒澤俊介, 横田有為, 吉川彰]
通讯作者:
吉川彰
浮遊帯溶融法による分解溶融化合物(Gd1-xCex)2Si2O7単結晶の育成
浮区熔法生长分解熔融化合物(Gd1-xCex)2Si2O7单晶
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Miyauchi, K. Osako, K. Matsuzaki, T. Susaki, A. Yamaguchi, H. Hosono, 児島千恵, 松家康平,長尾雅則,綿打敏司,田中 功]
通讯作者:
松家康平,長尾雅則,綿打敏司,田中 功
Application of technique for growth of large crystal by tilting mirror type floating zone method
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批准号:23360340
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.31万
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财政年份:2011
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负责人:WATAUCHI Satoshi
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依托单位:
Study on the suppression mechanism of crystal defects by the doping of the impurities in the melt during the crystal growth
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批准号:20550173
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.16万
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财政年份:2008
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负责人:WATAUCHI Satoshi
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依托单位:
海外基金