Akkurate Berechnung der elektronischen Struktur an Grenzflächen mittels Dichtefunktionaltheorie und GW-Quasiteilchenkorrekturen

从材料的角度看，材料不同于传统材料，不同的材料是不同的金属或金属。这是一个重要的参数(带偏移量)，它是一种新的材料。在此基础上，我们提出了一种新的功能理论(DFT)和一种新的实验方法。根据麻省理工学院的标准-DFT-方法论，所有电气设备的能量状况都是如此(z.bwird die die Band lücke of ft um 50-100%Unterschätzt)。这是一种新的理论，在德国和德国都是如此。GW-Rechnungen Signfikante Korrekturen der Valenzbänder von 1 EV and Mehr.他把所有的东西都放在一起，这样就可以抵消掉了。Ziel Dieses es Projekts ist es，ein umerisch effizientes and genaues Verfahren zur Berechnung von band Offset im Rahman der GW-Theorie zu entwickeln.

Die Funktionsweise der meisten elektronischen Bauelemente basiert auf den Eigenschaften der Grenzfläche zwischen zwei unterschiedlichen Materialien, z.B. bei Schottky-Kontakten (Metall/Halbleiter) in integrierten Schaltkreisen oder Heteroübergängen in Leuchtdioden und Solarzellen. Ein wichtiger Parameter ist dabei der Bandabstand (band offset) zwischen den verschiedenen Materialien.In den letzten Jahren haben sich Elektronenstrukturrechnungen wie die Dichtefunktionaltheorie (DFT) als wichtige Ergänzung zum Experiment etabliert. Allerdings kann die energetische Position der elektronischen Bänder mit Standard-DFT-Methoden nur unzureichend reproduziert werden (z.B. wird die Bandlücke oft um 50–100% unterschätzt). Hier hat sich die Vielteilchen-Störungstheorie in der GW-Näherung als Korrekturmethode zu den DFT-Bandstrukturen bewährt. Gerade bei breitlückigen Halbleitern und Isolatoren liefern GW-Rechnungen signifikante Korrekturen der Valenzbänder von 1 eV und mehr. Daher sollten sie einen wichtigen Einfluß auf die berechneten band offsets haben. Ziel dieses Projekts ist es, ein numerisch effizientes und genaues Verfahren zur Berechnung von band offsets im Rahmen der GW-Theorie zu entwickeln.