Akkurate Berechnung der elektronischen Struktur an Grenzflächen mittels Dichtefunktionaltheorie und GW-Quasiteilchenkorrekturen

Die Funktionsweise der meisten elektronischen Bauelemente basiert auf den Eigenschaften Grenzfläche zwischen zwei unschiedlichen Materialien, z.B. bei Schottky-Kontakten（金属/Halbleiter） in integrieten Schaltkreisen oder Heteroübergängen in Leuchtdioden and Solarzellen。参数列表dabei der Bandabstand（频带偏移）zwischen den verschiedenen材质。在窝letzten几年有西奇Elektronenstrukturrechnungen是不是死Dichtefunktionaltheorie (DFT) als wichtige Erganzung etabliert zum实验。变送器kann die energetische Position der elektronischen Bänder mit Standard-DFT-Methoden nur unzureichend reduziert werden （z.B. bird die bandlke of um 50-100% unterschätzt）。因此，我们可以在GW-Näherung中找到Vielteilchen-Störungstheorie。另外，我们还可以找到Korrekturmethode zu den DFT-Bandstrukturen bewährt。Gerade bei breitl<s:1> ckigen halbletern and Isolatoren lifern gw - rechungen显著kante Korrekturen der Valenzbänder von 1 eV und mehr。她的父亲将她的女儿溶化了，而她的女儿则在她的女儿带抵消发生之前死去了。齐泽尔主持的项目清单，在数值效率和genaues的Verfahren zur Berechnung的波段抵消，在拉赫曼的gw - theory zu entwicken。

Die Funktionsweise der meisten elektronischen Bauelemente basiert auf den Eigenschaften der Grenzfläche zwischen zwei unterschiedlichen Materialien, z.B. bei Schottky-Kontakten (Metall/Halbleiter) in integrierten Schaltkreisen oder Heteroübergängen in Leuchtdioden und Solarzellen. Ein wichtiger Parameter ist dabei der Bandabstand (band offset) zwischen den verschiedenen Materialien.In den letzten Jahren haben sich Elektronenstrukturrechnungen wie die Dichtefunktionaltheorie (DFT) als wichtige Ergänzung zum Experiment etabliert. Allerdings kann die energetische Position der elektronischen Bänder mit Standard-DFT-Methoden nur unzureichend reproduziert werden (z.B. wird die Bandlücke oft um 50–100% unterschätzt). Hier hat sich die Vielteilchen-Störungstheorie in der GW-Näherung als Korrekturmethode zu den DFT-Bandstrukturen bewährt. Gerade bei breitlückigen Halbleitern und Isolatoren liefern GW-Rechnungen signifikante Korrekturen der Valenzbänder von 1 eV und mehr. Daher sollten sie einen wichtigen Einfluß auf die berechneten band offsets haben. Ziel dieses Projekts ist es, ein numerisch effizientes und genaues Verfahren zur Berechnung von band offsets im Rahmen der GW-Theorie zu entwickeln.