Akkurate Berechnung der elektronischen Struktur an Grenzflächen mittels Dichtefunktionaltheorie und GW-Quasiteilchenkorrekturen

最大电子部件的功能是基于两种不规则材料的重力场的特性。bei Schottky-Kontakten（Metall/Halbleiter）in integrierten Schaltkreisen oder Heteroübergängen in Leuchtdioden und Solarzellen.一个重要的参数是带隙（带偏），它与可测材料有关。近年来，电子结构与可测函数理论（DFT）一样，在实验中具有重要的意义。用标准DFT方法可以精确再现韦尔登（z.B. wird die Bandlücke oftum 50-100% unterschätzt）.在此，GW-Näherung中的Vielteilchen-Störungstheorie是DFT-Bandstrukturen的Korrekturmethod。Gerade bei breitlückigen Halbleitern und Isolatoren liefern GW-Rechnungen signifikante Korrekturen der Valenzbänder von 1 eV und梅尔。因此，她认为有一个人会影响到她的乐队。这两个项目是，一个数字effizientes和genaues Verfahren Berechnung von频带偏移量在拉曼的GW理论zu entwickeln。

Die Funktionsweise der meisten elektronischen Bauelemente basiert auf den Eigenschaften der Grenzfläche zwischen zwei unterschiedlichen Materialien, z.B. bei Schottky-Kontakten (Metall/Halbleiter) in integrierten Schaltkreisen oder Heteroübergängen in Leuchtdioden und Solarzellen. Ein wichtiger Parameter ist dabei der Bandabstand (band offset) zwischen den verschiedenen Materialien.In den letzten Jahren haben sich Elektronenstrukturrechnungen wie die Dichtefunktionaltheorie (DFT) als wichtige Ergänzung zum Experiment etabliert. Allerdings kann die energetische Position der elektronischen Bänder mit Standard-DFT-Methoden nur unzureichend reproduziert werden (z.B. wird die Bandlücke oft um 50–100% unterschätzt). Hier hat sich die Vielteilchen-Störungstheorie in der GW-Näherung als Korrekturmethode zu den DFT-Bandstrukturen bewährt. Gerade bei breitlückigen Halbleitern und Isolatoren liefern GW-Rechnungen signifikante Korrekturen der Valenzbänder von 1 eV und mehr. Daher sollten sie einen wichtigen Einfluß auf die berechneten band offsets haben. Ziel dieses Projekts ist es, ein numerisch effizientes und genaues Verfahren zur Berechnung von band offsets im Rahmen der GW-Theorie zu entwickeln.