Perfect separation between different orientation regions in hybrid orientation structure grown by orientation selective epitaxy
Perfect separation between different orientation regions in hybrid orientation structure grown by orientation selective epitaxy
通过定向选择性外延生长的混合定向结构中不同定向区域之间的完美分离
批准号：
26390067
负责人：
Inoue Tomoyasu
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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An Overview of Studies on Epitaxial Growth of CeO2 Layers on Si Substrates
Si衬底上外延生长CeO2层的研究综述
Si衬底上外延生长CeO2层的研究综述
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
いわき明星大学科学技術学部研究紀要
影响因子：
--
作者：
[T. Inoue, S. Shida and N. Sakamoto]
通讯作者：
S. Shida and N. Sakamoto
Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分離
Si(100) 衬底上复杂取向的 CeO2 区域之间的分离
Si(100) 衬底上复杂取向的 CeO2 区域之间的分离
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井上知泰, 信田重成]
通讯作者：
信田重成
Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分SOI 基板を用いた Si(100) 上の複合面方位CeO2 領域間の完全分離
使用 SOI 衬底在 Si(100) 上实现具有多个取向的 CeO2 区域之间的完全分离
使用 SOI 衬底在 Si(100) 上实现具有多个取向的 CeO2 区域之间的完全分离
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井上知泰, 信田重成]
通讯作者：
信田重成
Perfect Separation of Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions Grown on Silicon on Insulator Substrates with Lithographically Formed Trenches
具有光刻形成沟槽的绝缘体上硅衬底上生长的 CeO2(100) 和 (110) 区域混合取向结构的完美分离
具有光刻形成沟槽的绝缘体上硅衬底上生长的 CeO2(100) 和 (110) 区域混合取向结构的完美分离
DOI：
10.1149/2.0161612jss
发表时间：
2016
期刊：
ECS J. Solid State Sci. Technol.
影响因子：
--
作者：
[T. Inoue, S. Shida and N. Sakamoto, T. Inoue and S. Shida]
通讯作者：
T. Inoue and S. Shida
Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches
具有光刻形成沟槽的 SOI 衬底上 CeO2(100) 和 (110) 区域的混合取向结构
具有光刻形成沟槽的 SOI 衬底上 CeO2(100) 和 (110) 区域的混合取向结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井上知泰, 信田重成, T. Inoue and S. Shida]
通讯作者：
T. Inoue and S. Shida
共 11 条