Perfect separation between different orientation regions in hybrid orientation structure grown by orientation selective epitaxy

通过定向选择性外延生长的混合定向结构中不同定向区域之间的完美分离

• 批准号: 26390067
• 负责人: Inoue Tomoyasu
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Iwaki Meisei University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26390067/
• 关键词: 薄膜; 方位選択エピタキシャル成長; 結晶成長; 超薄膜; 表面・界面物性; 方位選択エピタキシ; 電子ビーム照射; 複合面方位構造; 極薄膜; 表面界面物性; 方位選択エピタキシー; 複合面方位; 絶縁層上シリコン膜(SOI); トレンチ; 表面海面物性

项目成果

An Overview of Studies on Epitaxial Growth of CeO2 Layers on Si Substrates

Si衬底上外延生长CeO2层的研究综述

• 发表时间: 2017
• 期刊: いわき明星大学科学技術学部研究紀要
• 作者: T. Inoue;S. Shida and N. Sakamoto
• 通讯作者: S. Shida and N. Sakamoto

Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分離

Si(100) 衬底上复杂取向的 CeO2 区域之间的分离

• 发表时间: 2014
• 作者: 井上知泰;信田重成
• 通讯作者: 信田重成

Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分SOI 基板を用いた Si(100) 上の複合面方位CeO2 領域間の完全分離

使用 SOI 衬底在 Si(100) 上实现具有多个取向的 CeO2 区域之间的完全分离

• 发表时间: 2017
• 作者: 井上知泰;信田重成
• 通讯作者: 信田重成

Perfect Separation of Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions Grown on Silicon on Insulator Substrates with Lithographically Formed Trenches

具有光刻形成沟槽的绝缘体上硅衬底上生长的 CeO2(100) 和 (110) 区域混合取向结构的完美分离

• DOI: 10.1149/2.0161612jss
• 发表时间: 2016
• 期刊: ECS J. Solid State Sci. Technol.
• 作者: T. Inoue;S. Shida and N. Sakamoto;T. Inoue and S. Shida
• 通讯作者: T. Inoue and S. Shida

Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches

具有光刻形成沟槽的 SOI 衬底上 CeO2(100) 和 (110) 区域的混合取向结构

• 发表时间: 2016
• 作者: 井上知泰;信田重成;T. Inoue and S. Shida
• 通讯作者: T. Inoue and S. Shida