Elucidation of UV irradiation effect in plasma etching process of wide gap semiconductors
Elucidation of UV irradiation effect in plasma etching process of wide gap semiconductors
宽带隙半导体等离子刻蚀过程中紫外辐射效应的阐明
批准号：
26390066
负责人：
Niibe Masahito
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
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Generation of electrical damage in n-GaN films following treatment in a CF4 plasma
CF4 等离子体处理后 n-GaN 薄膜中产生电损伤
CF4 等离子体处理后 n-GaN 薄膜中产生电损伤
DOI：
10.7567/apex.10.116201
发表时间：
2017
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Nakano Yoshitaka, Kawakami Retsuo, Niibe Masahito]
通讯作者：
Niibe Masahito
Fabrication and characterization of fine-grained 316L steel with 2.0 mass% TiC
制造%20and%20表征%20of%20细粒%20316L%20钢%20with%202.0%20质量%%20TiC
制造%20and%20表征%20of%20细粒%20316L%20钢%20with%202.0%20质量%%20TiC
DOI：
10.1080/00223131.2016.1175390
发表时间：
2016
期刊：
J. Nuclear Sci. Technol.
影响因子：
--
作者：
[M. Terasawa, H. Kurishita, T. Sakamoto, M. Niibe, H. Takahashi, S. Nishikawa, A. Yamamoto, M. Yamashita, T. Mitamura, T. Yamasaki, M. Kawai]
通讯作者：
M. Kawai
Electrical Damage Investigation of n-GaN Films Treated by CF4 Plasma
CF4 等离子体处理的 n-GaN 薄膜的电损伤研究
CF4 等离子体处理的 n-GaN 薄膜的电损伤研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami]
通讯作者：
Masahito Niibe and Retsuo Kawakami
ArとCF4プラズマで処理したAlGaN膜の表面分析
Ar 和 CF4 等离子体处理的 AlGaN 薄膜的表面分析
Ar 和 CF4 等离子体处理的 AlGaN 薄膜的表面分析
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[渡邉恵理子, 池田佳奈美, 武田光夫, 平井翔大，新部正人，川上烈生，白濱達夫，中野由崇，向井孝志]
通讯作者：
平井翔大，新部正人，川上烈生，白濱達夫，中野由崇，向井孝志
Morphological and Compositional Changes in AlGaN Surfaces etched by RF Capacitively Coupled Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas
射频电容耦合四氟化碳和氩等离子体蚀刻 AlGaN 表面的形态和成分变化
射频电容耦合四氟化碳和氩等离子体蚀刻 AlGaN 表面的形态和成分变化
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, S. Hirai and T. Mukai]
通讯作者：
S. Hirai and T. Mukai
共 42 条
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