共役系高分子薄膜電極のフェムト秒ナノメートル光機能

共轭聚合物薄膜电极的飞秒纳米光学功能

• 批准号: 10131231
• 负责人: 坂口 浩司
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10131231/
• 关键词: 走査型プローブ顕微鏡; フェムト秒レーザー; 有機薄膜

量子構造中の電子は、極微領域で超高速に振る舞うため、観測手段がなくその挙動に関する理解を困難にして来た。本研究では、フェムト秒光パルス技術とナノテクノロジーを組合せた超高速走査型プローブ顕微鏡を開発し、電子がナノメートル空間に閉じ込められた一次元電子系の光機能を明らかにすることを目的とする。今年度はCWレーザー光励起による電流を検出する原子間力顕微鏡(光電導性AFM)を開発し、有機薄膜のナノメートル光電子物性を検討した。試料は、銅フタロジアニン(CuPc)のITOガラスへの真空蒸着膜(厚さ100nm〜10nm)を用いた。自作したAFMは、フィードバック回路、ドライバ、光てこ法によるPSD、ピエゾアクチュエータから構成される。カンチレバーは、金蒸着されたSiNを用いた。高速電流アンプにより、試料の暗電流を検出した。He-Neレーザー(633nm)、またはAr^+レーザー(514nm)をプリズム上に配置した試料に全反射角で入射し、エバネッセント光による励起を行った。チョッパーと同期した局波数におけるシグナルをロックインアンプにより検出することにより光電流を観測した。試料のナノメートル局所領域における光電導を調べた。励起光の照射により光電流が観測された。また、光電流は励起波長依存性を示し、吸収スペクトルとほぼ対応した。I/V特性は電極構造を反映して、整流特性を示した。ピエゾアクチュエータの二次元スキャンにより、光電流像が得られた。以上より開発した光電導AFMにより、量子構造の局所光電物性の観測が可能になった。

Quantum structure in the field of electrons, dust, ultra-high-speed vibration, measurement methods and other related to the movement of the difficult to understand This study focuses on the development of optical technology and the combination of ultra-high-speed scanning micromirrors, and the optical function of one-dimensional electronic systems. This year's CW optical excitation current detection, atomic force microscopy (photoconductive AFM) development, organic thin film photoelectron properties of the study The sample was prepared by vacuum evaporation of ITO film (thickness: 100nm ~ 10nm) from copper (CuPc). Self-made AFM, Doku circuit, Doku circuit, optical method, PSD, Doku circuit, etc.カンチレバーは、金蒸着されたSiNを用いた。High speed current detection, sample dark current detection He-Ne laser beam (633nm), Ar^+ laser beam (514nm) and excitation beam (633 nm) are arranged on the top of the sample. The number of waves in the same period is measured. The photoconductivity of the sample is modulated in the region of the sample. The photocurrent is measured by excitation light irradiation. Photocurrent excitation wavelength dependence, absorption and absorption characteristics The I/V characteristics are reflected in the electrode structure and the rectification characteristics are shown.ピエゾアクチュエータの二次元スキャンにより、光电流像が得られた。The photoconductivity AFM of the above semiconductor devices and the photoconductivity measurement of quantum structures are possible.

项目成果

H.Sakaguchi,et.al.: "Nanometer-Scale Photoelectric Property of Organic Thin Fi1ms Investigated by Photoconductive AFM" Jpn.J.Appl.Phys.

H.Sakaguchi 等人：“通过光电导 AFM 研究有机薄膜的纳米级光电特性”Jpn.J.Appl.Phys。

H.Sakaguchi T.Nagamura: "Third Order Nonlinear Optical Property of Excitonic State of Conjugated Polymer by Femtosecond Optical …" Nonlinear Optics.

H.Sakaguchi T.Nagamura：“通过飞秒光学研究共轭聚合物激子态的三阶非线性光学特性……”非线性光学。