構造を制御した薄膜酸化物で被われた金属電極での表面準位と電子移動速度
構造を制御した薄膜酸化物で被われた金属電極での表面準位と電子移動速度
批准号:
10131234
负责人:
大塚 俊明
金额:
$1.02万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 --
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1.目的 酸化物被覆電極は,不働態皮膜として知られる耐食性皮膜あるいはDSAなどで知られる工業触媒電極などで利用されている。これら酸化物電極の反応性は,酸化物/電解質水溶液界面に生成する酸化物薄膜の不純物電子準位や表面電子準位のエネルギー位置ならびに密度に関連すると予想されている。本研究では,酸化物薄膜を精密に測定できるエリプソメーターを開発・改良するとともに,紫外線照射に伴う電子準位生成と酸化物薄膜を横切るイオン移動ならびに電子移動反応速度との関連を調べた。2.結果 (1)自動エリプソメーターの開発と応用:開発・改良したエリプソメーターの性能チェックのため,金電極上ほのNi-Zn合金メッキ膜生成の初期過程を調べた。Znのアンダーポテンシャル析出がNiの析出を妨げていることが見い出された。(2)紫外光照射に伴うチタン酸化物皮膜の半導体物性変化:チタンのアノード酸化物皮膜に紫外レーザー光を照射しながらインピーダンスを測定した。紫外光照射により,短時間では空間電荷内の電荷分布や電位分布に変化は起きない。しかし,長時間の照射では皮膜内のドナー密度が大幅に増加する。紫外光照射に伴う正孔励起が不純物ドナー準位を作成していくためと考えられる。(3)紫外光照射に伴うチタン酸化物皮膜の光学的性質と膜厚の変化:紫外光照射に伴い,アノード電位に依存して,つまり励起正孔濃度に依存して皮膜の屈折率の低下が起こる。この屈折率の低下は皮膜の水和が加速されたためと思われる。水和後に溶液pHに依存した光溶解が見い出された。紫外光照射の効果は,n型酸化物皮膜内での正孔励起,不純物生成,水和,溶解の順で起きていくことが推定される。
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专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Ohtsuka: "The Influence of the Growth rate on the Semiconductive Properties of Titanium Anodic Oxide Films" Corrosion Science. 40,7. 951-958 (1998)
T.Ohtsuka:“生长速率对钛阳极氧化膜半导体性能的影响”腐蚀科学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Ohtsuka: "Initial Layer Formation of Zn-Ni Alloy Electrodeposition by Ellipsometry." Electrochimica Acta. 43,21-22. 3269-2376 (1998)
T.Ohtsuka:“通过椭圆光度法形成 Zn-Ni 合金电沉积的初始层。”
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
大塚 俊明: "光照射によるTiO_2電極の変化" J.Electroanalytical Chemistry. 438,1-2. 105-112 (1998)
Toshiaki Otsuka:“光照射引起的 TiO_2 电极的变化”J.Electroanalytical Chemistry 438,1-2 (1998)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
光機能電極構築のための疎水場界面・ポルフィリン化合物分子膜
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批准号:14050004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2002
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
ミニマムメンテナンスを目指した耐候性鋼材のさびサイエンス
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批准号:12895017
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2000
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
構造を制御した薄膜酸化物で被われた金属電極での表面準位と電子移動反応
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批准号:11118204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1999
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
構造を制御した薄膜酸化物で被われた金属電極での表面準位と電子移動速度
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批准号:09237232
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
ポリ酸・ポリピロールならびにポルフィリン複合膜の作製とその電極触媒作用
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批准号:07215236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
耐食性の金属表面不働態皮膜の界面構造と光励起応答からの解析
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批准号:07650839
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
ポリ酸・ポリピロールならびにポルフィリン複合膜の作製とその電極触媒作用
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批准号:06226235
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
マイクロエリプソメトリーの開発と局部腐食発生の機構検討への応用
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批准号:60750688
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
励起光変調および電位変調偏光反射法による酸化物半導体電極表面の測定
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批准号:59750642
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1984
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
ノイズ・パルスカウント法による金属局部腐食モニターの開発
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批准号:58750589
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1983
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
偏光反射法によるニッケル不働態皮膜の研究
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批准号:56750508
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
光励起電流・電位測定による金属表面陽極酸化皮膜の半導体的性質の研究
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批准号:X00210----475558
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1979
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负责人:大塚 俊明
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依托单位:
国内基金
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准号:JCZRMS202601078
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批准号:JCZRQNA202600009
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负责人:
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