近接場分光による誘電体微小球配列のフォトニックバンドの研究
近接場分光による誘電体微小球配列のフォトニックバンドの研究
批准号:
10135204
负责人:
伊藤 正
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 --
中文摘要
誘電体微小球2次元配列結晶を用いて、走査近接場光学顕微鏡像(SNOM像)の得られるメカニズムを解明するとともに、減衰型の2次元フォトニックバンド効果による結晶内伝搬モードの存在とその性質がSNOM像にどのように反映されるかを解明することを目的に以下の研究を行った。1. (1)日本女子大国府田研究室にてサブミクロンスケール(0.23〜1.0ミクロン)のポリスチレン微粒子の単層配列膜をガラス基板上に作製した。(2)購入した紫外可視分光光度計を用いて、この微粒子系の透過スペクトル測定を行い、周期配列構造が原因で生じるフォトニックバンド共鳴効果による透過光強度のディップの存在を確認した。(3)近接場光学顕微鏡(SNOM)を用いて、この試料のSNOM像がイルミネーションモードで測定した際にどのように波長に依存するかを調べた。(4)垂直入射光とフォトニックバンドが共鳴する周波数領域でSNOM像パターンが大きく変化すること、その両側の周波数領域ではSNOM像の強弱が逆転することを発見した。2. (1)千葉大大高、東北大宮嵜の協力で微粒子単層配列膜に平面電磁波が入射した際の裏面表面に発生する近接場光強度を配列微粒子間の多重光散乱効果を取り入れて計算したところ、微小球の周辺強度と中心強度との比がフォトニックバンドの共鳴周波数を挟んで分散的に大きく変化する結果を得た。また、共鳴領域で近接場光強度が約1桁増強されることも見いだした。(2)実験結果と比較することにより、共鳴領域では配列膜面内を伝搬する電磁波モードがSNOMにより効率よく生成されること、このモードの存在が共鳴領域でのSNOM像形成に重要な役割を果たしていることを明かにした。(3)このことは同時に、SNOM像が単純に屈折率のコントラストや表面の凸凹を表しているわけではないことを示したことになる。
英文摘要
誘電体微小球2次元配列結晶を用いて、走査近接場光学顕微鏡像(SNOM像)の得られるメカニズムを解明するとともに、減衰型の2次元フォトニックバンド効果による結晶内伝搬モードの存在とその性質がSNOM像にどのように反映されるかを解明することを目的に以下の研究を行った。1. (1)日本女子大国府田研究室にてサブミクロンスケール(0.23〜1.0ミクロン)のポリスチレン微粒子の単層配列膜をガラス基板上に作製した。(2)購入した紫外可視分光光度計を用いて、この微粒子系の透過スペクトル測定を行い、周期配列構造が原因で生じるフォトニックバンド共鳴効果による透過光強度のディップの存在を確認した。(3)近接場光学顕微鏡(SNOM)を用いて、この試料のSNOM像がイルミネーションモードで測定した際にどのように波長に依存するかを調べた。(4)垂直入射光とフォトニックバンドが共鳴する周波数領域でSNOM像パターンが大きく変化すること、その両側の周波数領域ではSNOM像の強弱が逆転することを発見した。2. (1)千葉大大高、東北大宮嵜の協力で微粒子単層配列膜に平面電磁波が入射した際の裏面表面に発生する近接場光強度を配列微粒子間の多重光散乱効果を取り入れて計算したところ、微小球の周辺強度と中心強度との比がフォトニックバンドの共鳴周波数を挟んで分散的に大きく変化する結果を得た。また、共鳴領域で近接場光強度が約1桁増強されることも見いだした。(2)実験結果と比較することにより、共鳴領域では配列膜面内を伝搬する電磁波モードがSNOMにより効率よく生成されること、このモードの存在が共鳴領域でのSNOM像形成に重要な役割を果たしていることを明かにした。(3)このことは同時に、SNOM像が単純に屈折率のコントラストや表面の凸凹を表しているわけではないことを示したことになる。
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专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Fujimura: "Near-field Optical Images on the Surface of Ordered Dielectric Microparticle Layer" Proceedings of the 3rd international Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics. in press.
T.Fujimura:“有序介电微粒层表面的近场光学图像”第三届原子尺度表面和界面动力学国际研讨会论文集。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
藤村徹: "ラテックス配列膜の近接電磁場とフォトニックバンド効果" 応用物理学会有機分子バイオエレクトロニクス分科会会誌M&BE. in press. (1999)
Toru Fujimura:“乳胶排列薄膜中的近场电磁场和光子带效应”,日本应用物理学会 M&BE 有机分子和生物电子学小组委员会杂志,出版中。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A study of the GEOPOIKA
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批准号:18K00457
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.08万
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财政年份:2018
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
単分子層以下の厚さの量子ナノ構造における閉じ込め励起子・LOフォノン相互作用とポーラロンの局在化
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批准号:03F03027
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2003
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
単分子層以下の厚さの量子ナノ構造における閉じ込め励起子・LOフォノン相互作用とポーラロンの局在化
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批准号:03F00027
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2003
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
近接場光プローブによる有機微結晶表面のナノスケール光誘起アブレーション
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批准号:14654053
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2002
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
光操作による微粒子間相互作用の制御と反応
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批准号:10207206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
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资助金额:$43.52万
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财政年份:1998
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
半導体超微粒子積層薄膜による第二高調波発生の試み
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批准号:09875012
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1997
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
半導体超微粒子積層薄膜による第二高調波発生の試み
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批准号:08875009
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1996
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
フリーラジカル消去系低下の肝障害に及ぼす影響についての研究
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批准号:05770382
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
半導体量子ドットにおける励起子コヒ-レンスと光学非線形性
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批准号:02251201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
半導体超微粒子における励起子超放射と励起子コヒ-レンス
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批准号:01540257
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1989
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
古代ギリシアの土地制度に関する研究-クレーロスと「共有地」について-
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批准号:62790056
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1987
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
レーザー光高速掃引照射による音響フォノンの高密度弾道波の発生とその運動量空間分光
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批准号:59220001
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1984
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
半磁性半導体における励起子ポラリトンと励起子分子の研究
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批准号:59540168
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1984
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负责人:伊藤 正
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依托单位:
海外基金