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Application of ion beam induced chemical vapor deposition for SiC film formation

Application of ion beam induced chemical vapor deposition for SiC film formation
离子束诱导化学气相沉积在SiC薄膜形成中的应用
批准号：
25287154
负责人：
Yoshimura Satoru
金额：
$6.49万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25287154/
关键词：
SiCイオンビームCVDヘテロエピ成長シリコンカーバイド

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DOI： 10.7567/jjap.52.090201
发表时间： 2013
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
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通讯作者： S. Hamaguchi
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通讯作者： S. Okada
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发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Yoshimura, M. Kiuchi, Y. Nishimoto, M. Yasuda, A. Baba, S. Hamaguchi]
通讯作者： S. Hamaguchi
共 12 条
    Basic study of magnetic transcription of high-performance magnetic thin films by applying electric field to ferromagnetic and ferroelectric thin films
    • 批准号：
      20H02195
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.9万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Yoshimura Satoru
    • 依托单位：
      Akita University
    Development of high functional multiferroic thin films for application to a new electric field driven magneto-optical light modulator
    • 批准号：
      17K06784
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Yoshimura Satoru
    • 依托单位：
      Akita University
    Development of organometallic molecular ion beam deposition method for the stoichiometric crystal growth
    • 批准号：
      17H02997
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $5.82万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Yoshimura Satoru
    • 依托单位：
      Osaka University
    Indium implantations onto porous zeolites for the development of novel catalysts
    • 批准号：
      15K13406
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $1.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Yoshimura Satoru
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金