Development of organometallic molecular ion beam deposition method for the stoichiometric crystal growth
Development of organometallic molecular ion beam deposition method for the stoichiometric crystal growth
批准号:
17H02997
负责人:
Yoshimura Satoru
金额:
$5.82万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-04-01 至 2020-03-31
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解離フラグメントによる有機金属イオンビームの生成とストイキオメトリ結晶成長
通过离解碎片和化学计量晶体生长产生有机金属离子束
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉村智, 杉本敏司, 竹内孝江, 村井健介, 木内正人]
通讯作者:
木内正人
Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane
使用甲基硅烷的伯纳斯型离子源低能质量选择离子束沉积碳化硅
DOI:
10.1063/1.5116614
发表时间:
2019
期刊:
AIP Advances
影响因子:
1.6
作者:
[S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi]
通讯作者:
M. Kiuchi
質量分離有機金属分子イオンビーム堆積法のストイキオメトリ成膜への応用
质量分离有机金属分子离子束沉积方法在化学计量成膜中的应用
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉村智, 杉本敏司, 竹内孝江, 村井健介, 木内正人]
通讯作者:
木内正人
Low-energy mass-selected ion beam production of fragments from tetraethylorthosilicate for the formation of silicon dioxide film
低能质量选择离子束生产原硅酸四乙酯碎片以形成二氧化硅薄膜
DOI:
10.1016/j.tsf.2018.04.003
发表时间:
2018
期刊:
Thin Solid Films
影响因子:
2.1
作者:
[Yoshimura Satoru, Sugimoto Satoshi, Takeuchi Takae, Murai Kensuke, Kiuchi Masato]
通讯作者:
Kiuchi Masato
低エネルギー有機ケイ素イオンビームの生成とSiC等成膜への応用
低能有机硅离子束的产生及其在SiC等成膜中的应用
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉村智, 杉本敏司, 竹内孝江, 木内正人]
通讯作者:
木内正人
共 12 条
Basic study of magnetic transcription of high-performance magnetic thin films by applying electric field to ferromagnetic and ferroelectric thin films
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批准号:20H02195
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.9万
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财政年份:2020
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负责人:Yoshimura Satoru
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依托单位:
Development of high functional multiferroic thin films for application to a new electric field driven magneto-optical light modulator
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批准号:17K06784
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2017
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负责人:Yoshimura Satoru
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依托单位:
Indium implantations onto porous zeolites for the development of novel catalysts
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批准号:15K13406
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$1.5万
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财政年份:2015
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负责人:Yoshimura Satoru
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依托单位:
Application of ion beam induced chemical vapor deposition for SiC film formation
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批准号:25287154
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$6.49万
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财政年份:2013
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负责人:Yoshimura Satoru
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依托单位:
海外基金